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1. (WO2016148563) PROCÉDÉ DE MESURE DE LA RÉSISTIVITÉ SPÉCIFIQUE DE MATÉRIAU EN COUCHE MINCE SANS LE BESOIN DE SECONDE SURFACE DE CONTACT
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2016/148563    N° de la demande internationale :    PCT/NL2016/000005
Date de publication : 22.09.2016 Date de dépôt international : 21.03.2016
CIB :
G01T 1/185 (2006.01)
Déposants : STICHTING VOOR FUNDAMENTEEL ONDERZOEK DER MATERIE [NL/NL]; Van Vollenhovenlaan 659 3527 JP Utrecht (NL)
Inventeurs : VAN DER GRAAF, Hendrik; (NL)
Mandataire : GRIEBLING, Onno; (NL)
Données relatives à la priorité :
1041245 19.03.2015 NL
Titre (EN) A METHOD TO MEASURE THE SPECIFIC RESISTIVITY OF THIN LAYER MATERIAL WITHOUT THE NEED FOR A SECOND SURFACE CONTACT
(FR) PROCÉDÉ DE MESURE DE LA RÉSISTIVITÉ SPÉCIFIQUE DE MATÉRIAU EN COUCHE MINCE SANS LE BESOIN DE SECONDE SURFACE DE CONTACT
Abrégé : front page image
(EN)According to the invention, a Micromegas is used for measuring properties of a layer (L) arranged on a carrier substrate (S), such as the layer resistivity (p) when the layer thickness (D) is known or the layer thickness (D) when the layer resistivity (p) is known, or such as the layer resistivity (p) when the relative dielectric constant (k) of the layer is known or the relative dielectric constant (k) of the layer when the layer resistivity (p) is known. With the Micromegas, a current is generated that causes a change in the surface potential of the layer, which in turn causes a change in the amplification factor of the Micromegas. With the relationship between amplification and potential being known, the voltage drop over the layer and the current through the layer are known, and hence the resistivity can be calculated if the layer thickness is known, or vice versa.
(FR)La présente invention concerne un Micromegas qui est utilisé pour mesurer les propriétés d'une couche (L) disposée sur un substrat support (S), telle que la résistivité (p) de couche lorsque l'épaisseur (D) de la couche est connue, ou l'épaisseur (D) de la couche lorsque la résistivité (p) de couche est connue ou telle que la résistivité (p) de la couche lorsque la constante diélectrique relative (k) de la couche est connue ou la constante diélectrique relative (k) de la couche lorsque la résistivité (p) de la couche est connue. Le Micromegas permet de produire un courant qui provoque un changement du potentiel de la surface de la couche, qui, à son tour, provoque un changement du facteur d'amplification du Micromegas. La relation entre l'amplification et le potentiel connus permet de connaître la chute de tension au-dessus de la couche et le courant à travers la couche et, par conséquent, la résistivité peut être calculée si l'épaisseur de la couche est connue, ou vice versa.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)