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1. (WO2016148456) FILM MINCE D'OXYDE MÉTALLIQUE DE STRUCTURE À NANO-ONDULATIONS EN TROIS DIMENSIONS, PROCÉDÉ POUR SA PRÉPARATION, ET CELLULE PHOTOVOLTAÏQUE ORGANIQUE LE COMPRENANT
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2016/148456    N° de la demande internationale :    PCT/KR2016/002488
Date de publication : 22.09.2016 Date de dépôt international : 11.03.2016
CIB :
H01L 21/02 (2006.01), H01L 29/51 (2006.01), H01L 51/42 (2006.01), H01L 31/0256 (2006.01)
Déposants : KOREA INSTITUTE OF MACHINERY & MATERIALS [KR/KR]; 156, Gajeongbuk-ro Yuseong-gu Daejeon 34103 (KR)
Inventeurs : LIM, Dong Chan; (KR).
LEE, Joo Yul; (KR).
LIM, Jae-Hong; (KR).
HONG, Kihyon; (KR).
JEONG, Jae Hoon; (KR).
PARK, Sun-Young; (KR)
Mandataire : LEE, Won Hee; (KR)
Données relatives à la priorité :
10-2015-0035267 13.03.2015 KR
Titre (EN) METAL OXIDE THIN FILM OF THREE-DIMENSIONAL NANO RIPPLE STRUCTURE, METHOD FOR PREPARING SAME, AND ORGANIC PHOTOVOLTAIC CELL COMPRISING SAME
(FR) FILM MINCE D'OXYDE MÉTALLIQUE DE STRUCTURE À NANO-ONDULATIONS EN TROIS DIMENSIONS, PROCÉDÉ POUR SA PRÉPARATION, ET CELLULE PHOTOVOLTAÏQUE ORGANIQUE LE COMPRENANT
(KO) 3차원 나노 리플 구조의 금속산화물 박막, 이의 제조방법 및 이를 포함하는 유기태양전지
Abrégé : front page image
(EN)The present invention provides a method for preparing a metal oxide thin film of a three-dimensional nano ripple structure, comprising the steps of: preparing a metal oxide solution using a sol-gel method (step 1); coating the upper portion of a first electrode with the metal oxide solution prepared in step 1 (step 2); and heat-treating the coated thin film at 180 to 200 °C (step 3). In addition, the present invention can produce a metal oxide thin film having a three-dimensional nano ripple shape of which the electrical properties are enhanced via a low temperature process, has an effect that a change in the electrical properties of a zinc oxide thin film due to a nitrogen ingredient within the thin film significantly enhances the efficiency of a photovoltaic cell, and has an advantage in that the zinc oxide thin film is applicable to plastic flexible substrates, such as PET and PEN.
(FR)La présente invention porte sur un procédé de préparation d'un film mince d'oxyde métallique d'une structure à nano-ondulations en trois dimensions, comprenant les étapes consistant : à préparer une solution d'oxyde métallique à l'aide d'un procédé sol-gel (étape 1) ; à appliquer un revêtement sur la partie supérieure d'une première électrode avec la solution d'oxyde métallique préparée à l'étape 1 (étape 2) ; et à traiter thermiquement le film mince appliqué en revêtement à 180 à 200 °C (étape 3). En outre, la présente invention peut produire un film mince d'oxyde métallique ayant une forme de nano-ondulation en trois dimensions dont les propriétés électriques sont améliorées par l'intermédiaire d'un procédé à basse température, a un effet selon lequel un changement dans les propriétés électriques d'un film mince d'oxyde de zinc dû à un ingrédient d'azote à l'intérieur du film mince améliore significativement le rendement d'une cellule photovoltaïque, et présente un avantage en ce que le film mince d'oxyde de zinc est applicable à des substrats plastiques souples, tels que polyéthylène téréphtalate (PET) et poly(éthylène naphtalate) (PEN).
(KO)본 발명은 졸-겔(sol-gel)법을 통해 금속산화물 용액을 제조하는 단계(단계 1); 상기 단계 1에서 제조된 금속산화물 용액을 제 1전극 상부에 코팅하는 단계(단계 2); 및 상기 코팅된 박막을 180 내지 200 ℃에서 열처리하는 단계(단계 3);를 포함하는 3차원 나노 리플(ripple) 구조의 금속산화물 박막의 제조방법을 제공한다. 또한, 본 발명에서는 저온공정을 통해 전기적 특성이 향상된 3차원 나노 리플 형상의 금속산화물 박막을 형성할 수 있으며, 박막 내 질소 성분에 의한 산화아연 박막의 전기적 특성의 변화가 태양전지의 효율을 크게 향상시키는 효과를 나타내었으며, 상기 산화아연 박막은 PET, PEN과 같은 플라스틱 유연 기판에 적용이 가능한 장점이 있다.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : coréen (KO)
Langue de dépôt : coréen (KO)