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1. (WO2016148395) DISPOSITIF DE MÉMOIRE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2016/148395    N° de la demande internationale :    PCT/KR2016/001137
Date de publication : 22.09.2016 Date de dépôt international : 02.02.2016
CIB :
H01L 43/02 (2006.01), H01L 43/10 (2006.01), H01L 43/08 (2006.01)
Déposants : IUCF-HYU [KR/KR]; 222, Wangsimni-ro, Sungdong-gu, Seoul 04763 (KR)
Inventeurs : PARK, Jea Gun; (KR).
LEE, Du Yeong; (KR)
Mandataire : NAM, Seung-Hee; (KR)
Données relatives à la priorité :
10-2015-0037234 18.03.2015 KR
10-2015-0045174 31.03.2015 KR
Titre (EN) MEMORY DEVICE
(FR) DISPOSITIF DE MÉMOIRE
(KO) 메모리 소자
Abrégé : front page image
(EN)Disclosed is a memory device in which a lower electrode, a buffer layer, a seed layer, a magnetic tunnel junction, a capping layer, a composite interchange diamagnetic layer, and an upper electrode are stacked on a substrate, wherein the capping layer has at least two layers.
(FR)L'invention concerne un dispositif de mémoire dans lequel une électrode inférieure, une couche tampon, une couche germe, une jonction tunnel magnétique, une couche de recouvrement, une couche diamagnétique d'échange composite et une électrode supérieure sont empilées sur un substrat, la couche de recouvrement comprenant au moins deux couches.
(KO)본 발명은 기판 상에 하부 전극, 버퍼층, 시드층, 자기 터널 접합, 캐핑층, 합성 교환 반자성층 및 상부 전극이 적층 형성되고, 상기 캐핑층은 적어도 두개의 층으로 형성된 메모리 소자가 제시된다.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : coréen (KO)
Langue de dépôt : coréen (KO)