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1. (WO2016148393) DISPOSITIF DE MÉMOIRE

Pub. No.:    WO/2016/148393    International Application No.:    PCT/KR2016/001134
Publication Date: Fri Sep 23 01:59:59 CEST 2016 International Filing Date: Wed Feb 03 00:59:59 CET 2016
IPC: H01L 43/02
H01L 43/10
H01L 43/08
Applicants: IUCF-HYU
한양대학교 산학협력단
Inventors: PARK, Jea Gun
박재근
CHOI, Jin Young
최진영
Title: DISPOSITIF DE MÉMOIRE
Abstract:
L'invention concerne un dispositif de mémoire dans lequel une électrode inférieure, une couche tampon, une couche germe, une jonction tunnel magnétique, une couche de recouvrement, une couche diamagnétique d'échange composite et une électrode supérieure sont empilées sur un substrat, la couche diamagnétique d'échange composite comprenant une monocouche d'une première couche magnétique, une couche non magnétique et une seconde couche magnétique à structure multicouche.