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1. (WO2016148392) DISPOSITIF DE MÉMOIRE

Pub. No.:    WO/2016/148392    International Application No.:    PCT/KR2016/001130
Publication Date: Fri Sep 23 01:59:59 CEST 2016 International Filing Date: Wed Feb 03 00:59:59 CET 2016
IPC: H01L 43/02
H01L 43/10
H01L 43/08
Applicants: IUCF-HYU
한양대학교 산학협력단
Inventors: PARK, Jea Gun
박재근
LEE, Seung Eun
이승은
Title: DISPOSITIF DE MÉMOIRE
Abstract:
L'invention concerne un dispositif de mémoire ayant une jonction tunnel magnétique comprenant une couche libre, une barrière tunnel et une couche piégée, la couche libre comprenant au moins deux couches ayant des aimantations de directions différentes l'une de l'autre.