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1. (WO2016148391) DISPOSITIF DE MÉMOIRE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2016/148391    N° de la demande internationale :    PCT/KR2016/001124
Date de publication : 22.09.2016 Date de dépôt international : 02.02.2016
CIB :
H01L 43/02 (2006.01), H01L 43/10 (2006.01), H01L 43/08 (2006.01)
Déposants : IUCF-HYU [KR/KR]; 222, Wangsimni-ro, Sungdong-gu, Seoul 04763 (KR)
Inventeurs : PARK, Jea Gun; (KR).
LI, Junli; (KR)
Mandataire : NAM, Seung-Hee; (KR)
Données relatives à la priorité :
10-2015-0037230 18.03.2015 KR
Titre (EN) MEMORY DEVICE
(FR) DISPOSITIF DE MÉMOIRE
(KO) 메모리 소자
Abrégé : front page image
(EN)Disclosed is a memory device in which a lower electrode, a seed layer, a magnetic tunnel junction, a capping layer, a composite interchange diamagnetic layer, and an upper electrode are stacked on a substrate, wherein the seed layer has at least a double layer structure, and at least one layer thereof is made of polycrystalline conductive material having a bcc structure.
(FR)L'invention concerne un dispositif de mémoire dans lequel une électrode inférieure, une couche germe, une jonction tunnel magnétique, une couche de recouvrement, une couche diamagnétique d'échange composite et une électrode supérieure sont empilées sur un substrat, la couche germe présentant au moins une structure à deux couches et au moins une des couches de cette structure étant constituée d'un matériau conducteur polycristallin ayant une structure CC.
(KO)본 발명은 기판 상에 하부 전극, 시드층, 자기 터널 접합, 캐핑층, 합성 교환 반자성층 및 상부 전극이 적층 형성되고, 상기 시드층은 적어도 이중 구조로 형성되며, 적어도 일층이 bcc 구조를 갖는 다결정의 도전 물질로 형성된 메모리 소자가 제시된다.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : coréen (KO)
Langue de dépôt : coréen (KO)