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1. (WO2016148380) APPAREIL DE FABRICATION D'UN MASQUE PERFORÉ À L'AIDE D'UNE FORMATION DES MOTIFS AU LASER, ET PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UN MASQUE PERFORÉ À L'AIDE D'UNE FORMATION DES MOTIFS AU LASER
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication : WO/2016/148380 N° de la demande internationale : PCT/KR2015/014069
Date de publication : 22.09.2016 Date de dépôt international : 22.12.2015
CIB :
H01L 51/56 (2006.01) ,H01L 21/033 (2006.01) ,H01L 21/027 (2006.01) ,H01L 21/268 (2006.01)
Déposants : AP SYSTEMS INC.[KR/KR]; 15-5, Dongtansandan 8-gil, Dongtan-myeon Hwaseong-si Gyeonggi-do 18487, KR
Inventeurs : PARK, Jong-Kab; KR
KIM, Doh-Hoon; KR
KIM, Beom-Sang; KR
Mandataire : LEE, Joon Sung; KR
Données relatives à la priorité :
10-2015-003681017.03.2015KR
Titre (EN) APPARATUS FOR MANUFACTURING SHADOW MASK USING LASER PATTERNING AND METHOD FOR MANUFACTURING SHADOW MASK USING LASER PATTERNING
(FR) APPAREIL DE FABRICATION D'UN MASQUE PERFORÉ À L'AIDE D'UNE FORMATION DES MOTIFS AU LASER, ET PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UN MASQUE PERFORÉ À L'AIDE D'UNE FORMATION DES MOTIFS AU LASER
(KO) 레이저 패터닝을 이용한 섀도우 마스크의 제조 장치 및 레이저 패터닝을 이용한 섀도우 마스크의 제조 방법
Abrégé : front page image
(EN) An apparatus and a method for manufacturing a shadow mask according to the present invention comprise: a step of positioning, on the top of a base, a masking part provided with a masking pattern which corresponds to a mask pattern to be manufactured; and a step of preparing, on the base, a mask pattern which corresponds to the masking pattern by irradiating a laser beam from the top of the masking part and treating the base with the laser beam, which has passed through the masking part, wherein a plurality of masking patterns are provided to have different widths, and the masking pattern of which the width is narrower towards the direction on which the base is positioned is provided so that the laser beam irradiated from the top of the masking part is irradiated on the base after passing through the plurality of masking patterns step by step. Moreover, the strength around a pattern is gradually adjusted using a phase shift mask and a slit mask, thereby enabling a taper-shaped process required for a deposition mask.
(FR) La présente invention concerne un procédé de fonctionnement d'un appareil de fabrication de masque perforé comprenant : un processus de positionnement d'une partie de masquage préparée avec un motif de masquage qui correspond à un motif de masque à fabriquer sur la partie supérieure d'une base ; et un processus de préparation d'un motif de masque qui correspond au motif de masquage sur la base par exposition à un faisceau laser depuis le dessus de la partie de masquage et traitement de la base avec le faisceau laser qui passe à travers la partie de masquage, une pluralité de motifs de masquage étant prévus pour avoir différentes largeurs, et le motif de masquage dont la largeur est plus étroite dans la direction dans laquelle la base est positionnée étant disposé de manière que le faisceau laser émis depuis le dessus de la partie de masquage soit incident sur la base après être passé à travers la pluralité de motifs de masquage étape par étape. De plus, l'intensité autour d'un motif est progressivement réglée à l'aide d'un masque à déphasage et d'un masque à fentes, ce qui permet un traitement en forme de cône requis pour un masque de dépôt.
(KO) 본 발명에 따른 섀도우 마스크의 제조 장치 및 방법은 베이스 상측에 제조하고자 하는 마스크 패턴과 대응하는 마스킹 패턴이 마련된 마스킹부를 위치시키는 과정 및 마스킹부 상측에서 레이저빔을 조사하여, 상기 마스킹부를 통과한 레이저빔으로 상기 베이스를 가공함으로써, 상기 베이스에 상기 마스킹 패턴과 대응하는 마스크 패턴을 마련하는 과정을 포함하고, 마스킹 패턴은 서로 다른 폭을 가지도록 복수개로 마련되며, 상기 베이스가 위치한 방향으로 갈수록 폭이 좁은 마스킹 패턴이 위치하도록 마련되어, 상기 마스킹부 상측에서 조사된 레이저빔이 상기 복수의 마스킹 패턴을 단계적으로 거치도록 하여 상기 베이스 상에 조사한다. 또한 위상 쉬프터 마스크와 슬릿 마스크를 이용하여 패턴 주변의 강도를 점진적으로 조절, 증착 마스크에서 요구하는 테이퍼 형태의 가공이 가능하게 할 수 있다.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : coréen (KO)
Langue de dépôt : coréen (KO)