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1. (WO2016148169) ÉLÉMENT À SEMI-CONDUCTEUR ORGANIQUE ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION, COMPOSÉ, COMPOSITION SEMI-CONDUCTRICE ORGANIQUE, ET FILM SEMI-CONDUCTEUR ORGANIQUE ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2016/148169    N° de la demande internationale :    PCT/JP2016/058256
Date de publication : 22.09.2016 Date de dépôt international : 16.03.2016
CIB :
H01L 51/30 (2006.01), C08L 65/00 (2006.01), H01L 21/336 (2006.01), H01L 29/786 (2006.01), H01L 51/05 (2006.01)
Déposants : FUJIFILM CORPORATION [JP/JP]; 26-30, Nishiazabu 2-chome, Minato-ku, Tokyo 1068620 (JP)
Inventeurs : KITAMURA Tetsu; (JP).
YAMAMOTO Yosuke; (JP).
TAMAKUNI Fumiko; (JP).
SHIGENOI Yuta; (JP).
GOTO Takashi; (JP).
WATANABE Tetsuya; (JP)
Mandataire : NOGUCHI Yasuhiro; (JP)
Données relatives à la priorité :
2015-051881 16.03.2015 JP
Titre (EN) ORGANIC SEMICONDUCTOR ELEMENT AND METHOD FOR PRODUCING SAME, COMPOUND, ORGANIC SEMICONDUCTOR COMPOSITION AND ORGANIC SEMICONDUCTOR FILM AND METHOD FOR PRODUCING SAME
(FR) ÉLÉMENT À SEMI-CONDUCTEUR ORGANIQUE ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION, COMPOSÉ, COMPOSITION SEMI-CONDUCTRICE ORGANIQUE, ET FILM SEMI-CONDUCTEUR ORGANIQUE ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
(JA) 有機半導体素子及びその製造方法、化合物、有機半導体組成物、並びに、有機半導体膜及びその製造方法
Abrégé : front page image
(EN)The purposes of the present invention are: to provide an organic semiconductor element having high carrier mobility, suppressed variation of mobility, and excellent stability over time under high temperature and high humidity, and a method for producing same; to provide a novel compound suitable as an organic semiconductor; and to provide an organic semiconductor film having high mobility, suppressed variation of mobility, and excellent stability over time under high temperature and high humidity, and a method for producing same, as well as an organic semiconductor composition which can suitably be used to form the organic semiconductor film. This organic semiconductor element is characterized by including an organic semiconductor layer containing a compound having a molecular weight of 2,000 or more and including a structural repeating unit represented by formula 1.
(FR)Les objectifs de la présente invention sont : de pourvoir à un élément à semi-conducteur organique présentant une grande mobilité des porteurs, une variation de mobilité supprimée et une excellente stabilité au cours du temps sous haute température et haute humidité, et son procédé de fabrication; de pourvoir à un nouveau composé approprié comme semi-conducteur organique; et de pourvoir à un film semi-conducteur organique présentant une grande mobilité, une variation de mobilité supprimée et une excellente stabilité au cours du temps sous haute température et haute humidité, et son procédé de fabrication, ainsi qu'une composition semi-conductrice organique qui peut être utilisée d'une manière appropriée pour former le film semi-conducteur organique. Cet élément à semi-conducteur organique est caractérisé en ce qu'il comprend une couche semi-conductrice organique contenant un composé ayant un poids moléculaire supérieur ou égal à 2000 et comprenant un motif configurationnel répété représenté par la formule 1.
(JA)本発明の目的は、キャリア移動度が高く、移動度のバラツキが抑制され、高温高湿下での経時安定性に優れた有機半導体素子及びその製造方法を提供すること、有機半導体として好適な新規な化合物を提供すること、並びに、高移動度であり、移動度のバラツキが抑制され、高温高湿下での経時安定性に優れた有機半導体膜及びその製造方法、並びに、上記有機半導体膜を好適に形成することができる有機半導体組成物を提供することがである。 本発明の有機半導体素子は、式1で表される構成繰り返し単位を有する、分子量2,000以上の化合物を含有する有機半導体層を有することを特徴とする。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)