WIPO logo
Mobile | Deutsch | English | Español | 日本語 | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

Recherche dans les collections de brevets nationales et internationales
World Intellectual Property Organization
Recherche
 
Options de navigation
 
Traduction
 
Options
 
Quoi de neuf
 
Connexion
 
Aide
 
Traduction automatique
1. (WO2016148110) RUBAN ADHÉSIF POUR LE TRAITEMENT D'UNE PLAQUETTE DE SEMI-CONDUCTEUR
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2016/148110    N° de la demande internationale :    PCT/JP2016/058005
Date de publication : 22.09.2016 Date de dépôt international : 14.03.2016
CIB :
H01L 21/304 (2006.01), C09J 4/00 (2006.01), C09J 5/00 (2006.01), C09J 7/02 (2006.01), C09J 201/00 (2006.01)
Déposants : FURUKAWA ELECTRIC CO.,LTD [JP/JP]; 2-3, Marunouchi 2-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1008322 (JP)
Inventeurs : UCHIYAMA, Tomoaki; (JP)
Mandataire : MATSUSHITA, Makoto; (JP)
Données relatives à la priorité :
2015-051832 16.03.2015 JP
Titre (EN) ADHESIVE TAPE FOR SEMICONDUCTOR WAFER PROCESSING
(FR) RUBAN ADHÉSIF POUR LE TRAITEMENT D'UNE PLAQUETTE DE SEMI-CONDUCTEUR
(JA) 半導体ウェハ加工用粘着テープ
Abrégé : front page image
(EN)The present invention provides an adhesive tape for semiconductor processing, which does not leave adhesive residue when the adhesive tape for semiconductor processing is removed from a wafer surface after back polishing, especially in a back grinding step of a silicon wafer or the like. An adhesive tape for semiconductor wafer processing 1 according to the present invention comprises a base film 2 and an energy ray-curable adhesive layer 3 that is provided on one surface of the base film 2, and is characterized in that if A (N/25 mm) is the adhesive power thereof before irradiation of an energy ray, T (KPa) is the tackiness thereof before irradiation of an energy ray, E (mm) is the elongation thereof before irradiation of an energy ray, AUV (N/25 mm) is the adhesive power thereof after irradiation of an energy ray, TUV (KPa) is the tackiness thereof after irradiation of an energy ray, and EUV (mm) is the elongation thereof after irradiation of an energy ray, A, T, E, AUV, TUV and EUV satisfy AUV/A ≤ 0.3, TUV/T ≤ 0.05 and EUV/E ≤ 0.3.
(FR)La présente invention concerne un ruban adhésif pour le traitement d'un semi-conducteur, qui ne laisse pas de résidu d'adhésif lorsque le ruban adhésif pour le traitement du semi-conducteur est retiré d'une surface de plaquette après polissage du dos, en particulier au cours d'une étape d'affûtage du dos d'une plaquette de silicium ou analogue. Un ruban adhésif pour le traitement d'une plaquette de semi-conducteur (1) selon la présente invention comprend un film de base (2) et une couche adhésive durcissable par des rayons d'énergie (3) qui est disposée sur une surface du film de base (2), et qui est caractérisée en ce que, si A (N/25 mm) désigne le pouvoir adhésif associé avant l'exposition à un rayonnement d'énergie, T (KPa) désigne l'adhérence associée avant l'exposition à un rayonnement d'énergie, E (mm) désigne l'allongement associé avant l'exposition à un rayonnement d'énergie, AUV (N/25 mm) désigne le pouvoir adhésif associé après exposition à un rayonnement d'énergie, TUV (KPa) désigne l'adhérence associé après l'exposition à un rayonnement d'énergie, et EUV (mm) désigne l'allongement associé après l'exposition à un rayonnement d'énergie, A, T, E, AUV, TUV et EUV satisfont à AUV/A ≤ 0,3, TUV/T ≤ 0,05 et/EUV/E ≤ 0,3.
(JA) 本発明は、特にシリコンウェハ等の裏面研削工程において、裏面研磨後にウェハ表面から半導体加工用粘着テープを剥離する時に糊残りを発生させない半導体加工用粘着テープを提供する。 本発明の半導体ウェハ加工用粘着テープ1は、基材フィルム2と、前記基材 フィルム2の片面側に設けられたエネルギー線硬化型の粘着剤層3とを有し、エネルギー線照射前の粘着力をA(N/25mm)、タック力をT(KPa)、伸びをE(mm)とし、エネルギー線を照射した後の粘着力をAUV(N/25mm)、タック力をTUV(KPa)、伸びをEUV(mm)としたとき、AUV/A≦0.3であり、かつTUV/T≦0.05であり、かつEUV/E≦0.3であることを特徴とする。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)