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1. (WO2016148019) PROCÉDÉ DE PRODUCTION D’ÉLÉMENT SEMI-CONDUCTEUR OPTIQUE À COUCHE RÉFLÉCHISSANT LA LUMIÈRE ET PROCÉDÉ DE PRODUCTION D’ÉLÉMENT SEMI-CONDUCTEUR OPTIQUE À COUCHE RÉFLÉCHISSANT LA LUMIÈRE ET COUCHE DE SUBSTANCE FLUORESCENTE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2016/148019    N° de la demande internationale :    PCT/JP2016/057597
Date de publication : 22.09.2016 Date de dépôt international : 10.03.2016
CIB :
H01L 33/60 (2010.01), H01L 33/50 (2010.01)
Déposants : NITTO DENKO CORPORATION [JP/JP]; 1-2, Shimo-hozumi 1-chome, Ibaraki-shi, Osaka 5678680 (JP)
Inventeurs : OOYABU, Yasunari; (JP).
KONO, Hiroki; (JP).
CHOU, Yi-min; (TW)
Mandataire : OKAMOTO, Hiroyuki; (JP)
Données relatives à la priorité :
2015-052523 16.03.2015 JP
2016-043581 07.03.2016 JP
Titre (EN) METHOD FOR PRODUCING OPTICAL SEMICONDUCTOR ELEMENT WITH LIGHT REFLECTING LAYER AND METHOD FOR PRODUCING OPTICAL SEMICONDUCTOR ELEMENT WITH LIGHT REFLECTING LAYER AND PHOSPHOR LAYER
(FR) PROCÉDÉ DE PRODUCTION D’ÉLÉMENT SEMI-CONDUCTEUR OPTIQUE À COUCHE RÉFLÉCHISSANT LA LUMIÈRE ET PROCÉDÉ DE PRODUCTION D’ÉLÉMENT SEMI-CONDUCTEUR OPTIQUE À COUCHE RÉFLÉCHISSANT LA LUMIÈRE ET COUCHE DE SUBSTANCE FLUORESCENTE
(JA) 光反射層付光半導体素子、および、光反射層および蛍光体層付光半導体素子の製造方法
Abrégé : front page image
(EN)This method for producing an optical semiconductor element with a light reflecting layer comprises: a step wherein electrode surfaces of a plurality of optical semiconductor elements are temporarily fixed to a temporary fixing sheet at a distance from each other, each one of said optical semiconductor elements having an electrode surface on which an electrode is provided, a light emitting surface which faces the electrode surface and on which a light emitting layer is provided, and a connection surface which connects the peripheral edges of the electrode surface and the light emitting surface; a step wherein a first gap between adjacent optical semiconductor elements is filled with a light reflecting sheet so that light-reflecting layers are respectively formed on the connection surfaces of the plurality of optical semiconductor elements; a step wherein light reflecting layers adhering to the light emitting surfaces of the plurality of optical semiconductor elements are removed; and a step wherein each light reflecting layer is cut between respective adjacent optical semiconductor elements.
(FR)La présente invention concerne un procédé de production d’un élément semi-conducteur optique comportant une couche réfléchissant la lumière qui comprend : une étape selon laquelle des surfaces d’électrodes d’une pluralité d’éléments semi-conducteurs optiques sont fixées temporairement à une feuille de fixation temporaire à une certaine distance les uns des autres, chacun desdits éléments semi-conducteurs optiques comportant une surface d’électrode sur laquelle est disposée une électrode, une surface électroluminescente qui fait face à la surface d’électrode et sur laquelle est disposée une couche électroluminescente, et une surface de connexion qui connecte les bords périphériques de la surface d’électrode et de la surface électroluminescente ; une étape selon laquelle un premier vide entre des éléments semi-conducteurs optiques adjacents est rempli d’une feuille réfléchissant la lumière de sorte que des couches réfléchissant la lumière sont respectivement formées sur les surfaces de connexion de la pluralité d’éléments semi-conducteurs optiques ; une étape selon laquelle des couches réfléchissant la lumière adhérant aux surfaces électroluminescentes de la pluralité d’éléments semi-conducteurs optiques sont retirées ; et une étape selon laquelle chaque couche réfléchissant la lumière est coupée entre des éléments semi-conducteurs optiques adjacents respectifs.
(JA)光反射層付光半導体素子の製造方法は、電極が設けられる電極面、電極面に対向し、発光層が設けられる発光面、および、電極面と発光面との周端縁を連結する連結面を有する複数の光半導体素子の電極面を、仮固定シートに互いに間隔を隔てて仮固定する工程と、光反射シートを互いに隣接する光半導体素子の第1隙間に充填して、光反射層を複数の光半導体素子の連結面に形成する工程と、複数の光半導体素子の発光面に付着する光反射層を除去する工程と、互いに隣接する光半導体素子の間において、光反射層を切断する工程とを備える。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)