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1. (WO2016147886) ÉLÉMENT SEMI-CONDUCTEUR, PROCÉDÉ D'AMPLIFICATION DE SIGNAL ET DISPOSITIF DE DÉTECTION
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication : WO/2016/147886 N° de la demande internationale : PCT/JP2016/056614
Date de publication : 22.09.2016 Date de dépôt international : 03.03.2016
CIB :
H01L 27/146 (2006.01) ,H01L 29/861 (2006.01) ,H01L 29/868 (2006.01) ,H01L 31/107 (2006.01)
Déposants : SONY SEMICONDUCTOR SOLUTIONS CORPORATION[JP/JP]; 4-14-1, Asahi-cho, Atsugi-shi, Kanagawa 2430014, JP
Inventeurs : YAGAMI Kojiro; JP
ANSAI Hisahiro; JP
YAMAKAWA Shinya; JP
KAWAMURA Takahiro; JP
SAKANO Yorito; JP
Mandataire : NISHIKAWA Takashi; JP
Données relatives à la priorité :
2015-05322617.03.2015JP
Titre (EN) SEMICONDUCTOR ELEMENT, SIGNAL AMPLIFICATION METHOD, AND DETECTION DEVICE
(FR) ÉLÉMENT SEMI-CONDUCTEUR, PROCÉDÉ D'AMPLIFICATION DE SIGNAL ET DISPOSITIF DE DÉTECTION
(JA) 半導体素子、信号増幅方法、及び、検出装置
Abrégé : front page image
(EN) The present technique pertains to a semiconductor element, a signal amplification method, and a detection device enabling avalanche amplification without requiring high voltage. The semiconductor element causes carriers on a semiconductor surface to vibrate forcefully due to field enhancement of incident light and causes the carriers to collide with semiconductor-constituting atoms, and thereby causes the electrons to multiply in quantity. The technology can be applied to, e.g., medical diagnosis and bioanalysis, information communication, ranging systems, and systems for detecting a transmitted image inside an object, in which terahertz waves are used as incident light. The technology can also be applied to the field of security, as well as fields such as spectroscopic analysis through detection of molecular interaction.
(FR) La présente technique concerne un élément semi-conducteur, un procédé d'amplification de signal et un dispositif de détection permettant l'amplification à avalanche sans nécessiter de tension élevée. L'élément semi-conducteur amène les supports sur une surface semi-conductrice à vibrer de manière forcée en raison de l'amélioration de la lumière incidente et amène les supports à entrer en collision avec des atomes de constitution de semi-conducteur, et amène ainsi les électrons se multiplier en quantité. La technologie peut être appliquée par exemple, à un diagnostic et une analyse biologique médicale, à une communication d'informations, à des systèmes de télémétrie, et à des systèmes pour détecter une image transmise à l'intérieur d'un objet, dans lequel des ondes térahertz sont utilisées comme lumière incidente. La technologie peut également être appliquée au domaine de la sécurité, ainsi que des champs tels que l'analyse spectroscopique par détection d'interaction moléculaire.
(JA) 本技術は、高電圧を必要としないでアバランシェ増幅を可能とすることができるようにする半導体素子、信号増幅方法、及び、検出装置に関する。 半導体素子は、半導体表面のキャリヤを、入射光の電界増強により強く振動させて、半導体構成原子と衝突させることで、電子を増倍する。本技術は、例えば、入射光としてテラヘルツ波を利用する、物体内部の透過像を検出するシステム、医療診断や生体分析、情報通信、測距システムに応用することができる。また、セキュリティの分野のほか、分子の相互作用検出による分光分析分野などにも応用することができる。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)