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1. (WO2016147856) MATÉRIAU ACTIF D'ÉLECTRODE POSITIVE POUR ÉLÉMENT SECONDAIRE À ÉLECTROLYTE NON AQUEUX, PROCÉDÉ DE FABRICATION DUDIT MATÉRIAU ACTIF D'ÉLECTRODE POSITIVE, ÉLÉMENT CONTENANT LEDIT MATÉRIAU ACTIF D'ÉLECTRODE POSITIVE, ET PROCÉDÉ DE CHARGE D'ÉLÉMENT
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2016/147856    N° de la demande internationale :    PCT/JP2016/056293
Date de publication : 22.09.2016 Date de dépôt international : 01.03.2016
CIB :
H01M 4/58 (2010.01), H01M 4/36 (2006.01), H01M 4/48 (2010.01), H01M 10/052 (2010.01), H01M 10/0566 (2010.01)
Déposants : YAMAHA HATSUDOKI KABUSHIKI KAISHA [JP/JP]; 2500, Shingai, Iwata-shi, Shizuoka 4388501 (JP).
NATIONAL UNIVERSITY CORPORATION SHIZUOKA UNIVERSITY [JP/JP]; 836, Ohya, Suruga-ku, Shizuoka-shi, Shizuoka 4228529 (JP)
Inventeurs : ARAI, Juichi; (JP).
TOMITA, Yasumasa; (JP)
Mandataire : HARUKA PATENT & TRADEMARK ATTORNEYS; Rokubancho SK Bldg. 5th Floor, 3, Rokubancho, Chiyoda-ku, Tokyo 1020085 (JP)
Données relatives à la priorité :
2015-051398 13.03.2015 JP
Titre (EN) POSITIVE ELECTRODE ACTIVE MATERIAL FOR NON-AQUEOUS ELECTROLYTE SECONDARY CELL, METHOD FOR MANUFACTURING SAID POSITIVE ELECTRODE ACTIVE MATERIAL, CELL CONTAINING SAID POSITIVE ELECTRODE ACTIVE MATERIAL, AND METHOD FOR CHARGING CELL
(FR) MATÉRIAU ACTIF D'ÉLECTRODE POSITIVE POUR ÉLÉMENT SECONDAIRE À ÉLECTROLYTE NON AQUEUX, PROCÉDÉ DE FABRICATION DUDIT MATÉRIAU ACTIF D'ÉLECTRODE POSITIVE, ÉLÉMENT CONTENANT LEDIT MATÉRIAU ACTIF D'ÉLECTRODE POSITIVE, ET PROCÉDÉ DE CHARGE D'ÉLÉMENT
(JA) 非水電解液二次電池用正極活物質およびその製造方法、前記正極活物質を含む電池、ならびに電池の充放電方法
Abrégé : front page image
(EN)In the present invention, a positive electrode active material for a non-aqueous electrolyte secondary cell contains LiX (where X represents a halogen atom).
(FR)Dans la présente invention, un matériau actif d'électrode positive pour un élément secondaire à électrolyte non aqueux contient du LiX (où X représente un atome d'halogène)
(JA)非水電解液二次電池用正極活物質は、LiX(式中、Xはハロゲン原子を表す。)を含む。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)