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1. (WO2016147773) COMPOSITION DE FORMATION DE FILM SEMI-CONDUCTEUR ORGANIQUE, TRANSISTOR À FILM MINCE ORGANIQUE, PAPIER ÉLECTRONIQUE ET DISPOSITIF D'AFFICHAGE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2016/147773    N° de la demande internationale :    PCT/JP2016/054298
Date de publication : 22.09.2016 Date de dépôt international : 15.02.2016
CIB :
H01L 51/30 (2006.01), H01L 21/336 (2006.01), H01L 29/786 (2006.01), H01L 51/05 (2006.01), H01L 51/40 (2006.01)
Déposants : FUJIFILM CORPORATION [JP/JP]; 26-30, Nishiazabu 2-chome, Minato-ku, Tokyo 1068620 (JP)
Inventeurs : MATSUSHITA Yasuaki; (JP)
Mandataire : WATANABE Mochitoshi; (JP)
Données relatives à la priorité :
2015-051148 13.03.2015 JP
Titre (EN) ORGANIC SEMICONDUCTOR FILM FORMATION COMPOSITION, ORGANIC THIN FILM TRANSISTOR, ELECTRONIC PAPER, AND DISPLAY DEVICE
(FR) COMPOSITION DE FORMATION DE FILM SEMI-CONDUCTEUR ORGANIQUE, TRANSISTOR À FILM MINCE ORGANIQUE, PAPIER ÉLECTRONIQUE ET DISPOSITIF D'AFFICHAGE
(JA) 有機半導体膜形成用組成物、有機薄膜トランジスタ、電子ペーパー、および、ディスプレイデバイス
Abrégé : front page image
(EN)The present invention addresses the problem of providing an organic semiconductor film formation composition, which has excellent printability and enables production of an organic thin film transistor having excellent portability and insulation reliability. The present invention further addresses the problem of providing an organic thin film transistor, an electronic paper, and a display device. The organic semiconductor film formation composition according to the present invention contains an organic semiconductor material, a phenolic reducing agent, a polymer compound having a weight-average molecular weight of 500,000 or higher, a surfactant, and an organic solvent having a normal boiling point of 150°C or higher. The ratio of the content of the organic semiconductor material to the content of the polymer compound is 0.02-10 on a mass basis. The ratio of the content of the phenolic reducing agent to the content of the polymer compound is 0.1-5 on a mass basis.
(FR)La présente invention aborde le problème de la fourniture d'une composition de formation de film semi-conducteur organique, qui a une excellente aptitude à l'impression et permet la production d'un transistor à film mince organique ayant une excellente portabilité et une fiabilité d'isolation. En outre, la présente invention aborde le problème de la fourniture d'un transistor à film mince organique, d'un papier électronique et d'un dispositif d'affichage. La composition de formation de film semi-conducteur organique selon la présente invention contient un matériau semi-conducteur organique, un agent de réduction phénolique, un composé polymère ayant un poids moléculaire moyen en poids de 500 000 ou plus, un agent tensio-actif et un solvant organique ayant un point d'ébullition normal de 150 °C ou plus. Le rapport de la teneur du matériau semi-conducteur organique sur la teneur du composé polymère est de 0,02 à 10 en masse. Le rapport de la teneur de l'agent de réduction phénolique sur la teneur du composé polymère est de 0,1 à 5 en masse.
(JA)本発明の課題は、印刷性に優れ、移動度および絶縁信頼性に優れた有機薄膜トランジスタを作製することができる有機半導体膜形成用組成物を提供することである。本発明の課題は、有機薄膜トランジスタ、電子ペーパー、および、ディスプレイデバイスを提供することにもある。本発明の有機半導体膜形成用組成物は、有機半導体材料と、フェノール性還元剤と、重量平均分子量が50万以上の高分子化合物と、界面活性剤と、標準沸点が150℃以上の有機溶剤と、を含有し、上記高分子化合物の含有量に対する上記有機半導体材料の含有量の割合が質量基準で0.02~10であり、上記高分子化合物の含有量に対する上記フェノール性還元剤の含有量の割合が質量基準で0.1~5である。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)