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1. (WO2016147724) DISPOSITIF À ONDES ACOUSTIQUES DE SURFACE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2016/147724    N° de la demande internationale :    PCT/JP2016/053105
Date de publication : 22.09.2016 Date de dépôt international : 02.02.2016
CIB :
H03H 9/25 (2006.01)
Déposants : MURATA MANUFACTURING CO., LTD. [JP/JP]; 10-1, Higashikotari 1-chome, Nagaokakyo-shi, Kyoto 6178555 (JP)
Inventeurs : TOYOTA, Yuji; (JP)
Mandataire : YOSHIKAWA, Shuichi; (JP)
Données relatives à la priorité :
2015-052365 16.03.2015 JP
Titre (EN) SURFACE ACOUSTIC WAVE DEVICE
(FR) DISPOSITIF À ONDES ACOUSTIQUES DE SURFACE
(JA) 弾性表面波装置
Abrégé : front page image
(EN)A surface acoustic wave device which is provided with: a piezoelectric substrate (10), one main surface of which is provided with an IDT electrode (13) that excites surface acoustic waves; a cover layer (20) which is arranged at a position facing the above-described one main surface so as to cover the IDT electrode (13); a supporting member (30) which is provided around the IDT electrode (13) on the above-described one main surface in an upright manner, and which supports a piezoelectric substrate (10)-side surface of the cover layer (20) in such a manner that the cover layer (20) is at a distance from the IDT electrode (13); and a bonding member (40) which is provided on the piezoelectric substrate (10)-side surface of the cover layer (20), and which bonds the cover layer (20) and the supporting member (30) with each other. At least a part of the cover layer (20)-side end portion of the supporting member (30) is positioned within the bonding member (40); and the size of the bonding member (40) in the normal direction to the above-described one main surface is smaller than the size of the supporting member (30) in the above-described normal direction.
(FR)L'invention concerne un dispositif à ondes acoustiques de surface qui est pourvu : d'un substrat piézoélectrique (10), dont une surface principale est pourvue d'une électrode IDT (13) qui excite des ondes acoustiques de surface ; d'une couche de protection (20) qui est agencée au niveau d'une position en regard de ladite surface principale décrite ci-dessus de manière à recouvrir l'électrode IDT (13) ; d'un élément de support (30) qui est disposé autour de l'électrode IDT (13) sur ladite surface principale décrite ci-dessus d'une manière verticale, et qui supporte une surface côté substrat piézoélectrique (10) de la couche de protection (20) de telle manière que la couche de protection (20) est à une certaine distance de l'électrode IDT (13) ; et d'un élément de liaison (40) qui est disposé sur la surface côté substrat piézoélectrique (10) de la couche de protection (20), et qui lie la couche de protection (20) et l'élément de support (30) l'un avec l'autre. Au moins une partie de la partie d'extrémité côté couche de protection (20) de l'élément de support (30) est positionnée à l'intérieur de l'élément de liaison (40) ; et la taille de l'élément de liaison (40) dans la direction perpendiculaire à ladite surface principale décrite ci-dessus est plus petite que la taille de l'élément de support (30) dans la direction perpendiculaire décrite ci-dessus.
(JA)弾性表面波を励振するIDT電極(13)が一方の主面に設けられた圧電基板(10)と、当該一方の主面に対向する位置に配置され、IDT電極(13)を覆うカバー層(20)と、当該一方の主面上のIDT電極(13)の周囲に立設され、カバー層(20)がIDT電極(13)から離間した状態でカバー層(20)の圧電基板(10)側の面を支持する支持部材(30)と、カバー層(20)の圧電基板(10)側の面に設けられ、カバー層(20)と支持部材(30)とを接合する接合部材(40)と、を備え、支持部材(30)における、カバー層(20)側の端部の少なくとも一部は、接合部材(40)内に存在しており、当該一方の主面に対する法線方向における接合部材(40)の寸法は、当該法線方向における支持部材(30)の寸法より小さい。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)