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1. (WO2016147702) PROCÉDÉ DE FORMATION DE MOTIFS, MOTIFS DE PRODUIT DE RÉSERVE, PROCÉDÉ DE FABRICATION DE DISPOSITIF ÉLECTRONIQUE ET DISPOSITIF ÉLECTRONIQUE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2016/147702    N° de la demande internationale :    PCT/JP2016/052255
Date de publication : 22.09.2016 Date de dépôt international : 27.01.2016
CIB :
G03F 7/11 (2006.01), G03F 7/038 (2006.01), G03F 7/039 (2006.01), G03F 7/20 (2006.01)
Déposants : FUJIFILM CORPORATION [JP/JP]; 26-30, Nishiazabu 2-chome, Minato-ku, Tokyo 1068620 (JP)
Inventeurs : INOUE Naoki; (JP).
TANGO Naohiro; (JP).
SHIRAKAWA Michihiro; (JP).
YAMAMOTO Kei; (JP).
GOTO Akiyoshi; (JP)
Mandataire : NAKASHIMA Junko; (JP)
Données relatives à la priorité :
2015-051147 13.03.2015 JP
Titre (EN) PATTERN FORMATION METHOD, RESIST PATTERN, METHOD FOR MANUFACTURING ELECTRONIC DEVICE, AND ELECTRONIC DEVICE
(FR) PROCÉDÉ DE FORMATION DE MOTIFS, MOTIFS DE PRODUIT DE RÉSERVE, PROCÉDÉ DE FABRICATION DE DISPOSITIF ÉLECTRONIQUE ET DISPOSITIF ÉLECTRONIQUE
(JA) パターン形成方法、レジストパターン、電子デバイスの製造方法、及び、電子デバイス
Abrégé : front page image
(EN)A pattern formation method, provided with: a step for applying, on a substrate, an actinic ray-sensitive or a radiation-sensitive resin composition containing a resin in which the polarity increases by the effect of an acid, and forming a resist film; a step for forming an upper layer film on the resist film; a step for exposing the resist film on which the upper layer film is formed; and a step for developing the exposed resist film using an organic developer, and forming a pattern. The resin in which the polarity increased by the effect of an acid includes an acid-decomposable repeating unit having a C4-7 acid-eliminable group a, and the protection rate and the maximum value of the number of carbon atoms in the acid-eliminable group a satisfy a specific condition.
(FR)L'invention concerne un procédé de formation de motifs, comprenant : une étape consistant à appliquer, sur un substrat, une composition de résine sensible aux radiations ou sensible aux rayons actiniques contenant une résine dans laquelle la polarité augmente sous l'effet d'un acide, et à former un film de réserve ; une étape consistant à former un film de couche supérieure sur le film de réserve ; une étape consistant à exposer le film de réserve sur lequel le film de couche supérieure est formé; et une étape consistant à développer le film de réserve exposé à l'aide d'un révélateur organique, et à former un motif. La résine dans laquelle la polarité est augmentée par l'effet d'un acide comprend une unité de répétition décomposable par un acide ayant un groupe A C4-7 éliminable par acide, et la vitesse de protection et la valeur maximale du nombre d'atomes de carbone dans le groupe A éliminable par acide satisfont à une condition spécifique.
(JA)パターン形成方法は、酸の作用により極性が増大する樹脂を含有する感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物を基板上に塗布してレジスト膜を形成する工程と、上記レジスト膜上に上層膜を形成する工程と、上記上層膜が形成された上記レジスト膜を露光する工程と、上記露光された上記レジスト膜を有機系現像液を用いて現像してパターンを形成する工程とを備え、上記酸の作用により極性が増大する樹脂が、炭素数4~7の酸脱離性基aを有する酸分解性繰り返し単位を含み、かつ、上記酸脱離性基aの炭素数の最大値および保護率が特定の条件を満たす。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)