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1. (WO2016147296) DISPOSITIF DE TRAITEMENT DE SUBSTRAT, PROCÉDÉ POUR FABRIQUER UN DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEURS ET SUPPORT D'ENREGISTREMENT
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2016/147296    N° de la demande internationale :    PCT/JP2015/057676
Date de publication : 22.09.2016 Date de dépôt international : 16.03.2015
CIB :
H01L 21/31 (2006.01), C23C 16/50 (2006.01), H01L 21/318 (2006.01)
Déposants : HITACHI KOKUSAI ELECTRIC INC. [JP/JP]; 15-12, Nishi-shimbashi 2-chome, Minato-ku, Tokyo 1058039 (JP)
Inventeurs : YAMAMOTO, Tetsuo; (JP).
TOYODA, Tazuyuki; (JP)
Données relatives à la priorité :
Titre (EN) SUBSTRATE TREATING DEVICE, METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR, AND RECORDING MEDIUM
(FR) DISPOSITIF DE TRAITEMENT DE SUBSTRAT, PROCÉDÉ POUR FABRIQUER UN DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEURS ET SUPPORT D'ENREGISTREMENT
(JA) 基板処理装置、半導体装置の製造方法および記録媒体
Abrégé : front page image
(EN)Provided is a technology with which it is possible to obtain uniform film thickness during a substrate treatment in which plasma is used. It is possible to provide a technology having: a reaction tube for forming a treatment chamber in which a substrate is treated; a gas supply part provided inside the treatment chamber, the gas supply part supplying, into the treatment chamber, a reaction gas and a feedstock gas for forming a prescribed film on the surface of the substrate; a plasma generation device for exciting the reaction gas supplied by the gas supply part; and a magnetic-field-generating device provided outside the plasma generation device, the magnetic-field-generating device generating a magnetic field in a direction that is the same as the direction in which the reaction gas excited by the plasma generation device is supplied.
(FR)La présente invention porte sur une technologie au moyen de laquelle il est possible d'obtenir une épaisseur uniforme de film pendant un traitement de substrat dans lequel un plasma est utilisé. Selon la présente invention, il est possible de proposer une technologie ayant : un tube de réaction destiné à former une chambre de traitement dans laquelle un substrat est traité ; une partie d'alimentation en gaz disposée à l'intérieur de la chambre de traitement, la partie d'alimentation en gaz alimentant, dans la chambre de traitement, un gaz de réaction et un gaz de charge d'alimentation pour former un film prescrit sur la surface du substrat ; un dispositif de génération de plasma destiné à exciter le gaz de réaction alimenté par la partie d'alimentation en gaz ; et un dispositif de génération de champ magnétique disposé à l'extérieur du dispositif de génération de plasma, le dispositif de génération de champ magnétique générant un champ magnétique dans une direction qui est la même que la direction dans laquelle le gaz de réaction excité par le dispositif de génération de plasma est alimenté.
(JA)プラズマを用いた基板処理において均一な膜厚を得ることができる技術を提供する。基板を処理する処理室を形成する反応管と、前記処理室内に設けられ、前記基板の表面に所定の膜を形成する原料ガスと反応ガスとを前記処理室内に供給するガス供給部と、前記ガス供給部より供給された前記反応ガスを励起するプラズマ生成装置と、前記プラズマ生成装置の外側に設けられ、前記プラズマ生成装置によって励起された前記反応ガスの供給方向と同じ方向に磁場を生成する磁場生成装置と、を有する技術を提供できる。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)