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1. (WO2016147252) APPAREIL À SEMI-CONDUCTEUR ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication : WO/2016/147252 N° de la demande internationale : PCT/JP2015/057477
Date de publication : 22.09.2016 Date de dépôt international : 13.03.2015
CIB :
H01L 21/52 (2006.01) ,H01L 23/36 (2006.01) ,H01L 23/40 (2006.01)
Déposants : HITACHI, LTD.[JP/JP]; 6-6, Marunouchi 1-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1008280, JP
Inventeurs : MIYAZAKI, Takaaki; JP
IKEDA, Osamu; JP
Mandataire : TSUTSUI & ASSOCIATES; 3F, Shinjuku Gyoen Bldg., 3-10, Shinjuku 2-chome, Shinjuku-ku, Tokyo 1600022, JP
Données relatives à la priorité :
Titre (EN) SEMICONDUCTOR APPARATUS AND MANUFACTURING METHOD OF SAME
(FR) APPAREIL À SEMI-CONDUCTEUR ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
(JA) 半導体装置およびその製造方法
Abrégé : front page image
(EN) A power module 20 according to the present invention comprises a ceramic substrate 3 that supports a semiconductor chip 1 and that is electrically connected to the semiconductor chip 1, a base plate 4 for heat radiation that supports the ceramic substrate 3, and a solder 5 that is disposed between the ceramic substrate 3 and the base plate 4 and that bonds the ceramic substrate 3 and the base plate 4. Directly below the semiconductor chip 1, the solder 5 comprises a high melting point bonding material 5a formed into a plane size that is the same as the plane size of the semiconductor chip 1 or that is larger than the plane size of the semiconductor chip 1 and a low melting point bonding material 5b that is disposed around the high melting point bonding material 5a in planar view, wherein the high melting point bonding material 5a has a melting point higher than that of the low melting point bonding material 5b.
(FR) La présente invention concerne un module de puissance 20 qui comprend un substrat en céramique 3 qui porte une puce à semi-conducteur 1 et qui est connecté électriquement à la puce à semi-conducteur 1, une plaque de base 4 de rayonnement thermique qui porte le substrat en céramique 3, et une brasure 5 qui est disposée entre le substrat en céramique et la plaque de base 4 et qui lie le substrat en céramique 3 et la plaque de base 4. Directement au-dessous de la puce à semi-conducteur 1, la brasure 5 comprend un matériau de liaison à point de fusion élevé 5a formé dans une taille plane qui est la même que la taille plane de la puce à semi-conducteur 1 ou qui est plus grande que la taille plane de la puce à semi-conducteur 1 et un matériau de liaison à point de fusion bas 5b qui est disposé autour du matériau de liaison à point de fusion élevé 5a dans une vue en plan, le matériau de liaison à point de fusion élevé 5a présentant un point de fusion supérieur à celle du matériau de liaison à point de fusion bas 5b.
(JA) 半導体チップ1を支持し、半導体チップ1と電気的に接続されたセラミック基板3と、セラミック基板3を支持する放熱用のベース板4と、セラミック基板3とベース板4との間に配置され、セラミック基板3とベース板4とを接合するはんだ5と、を有するパワーモジュール20である。そして、はんだ5は、半導体チップ1の直下において、半導体チップ1の平面サイズと同じかまたはそれより大きな平面サイズで形成された高融点接合材5aと、平面視で高融点接合材5aの周囲に配置された低融点接合材5bとからなり、高融点接合材5aは、低融点接合材5bより融点が高い。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)