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1. (WO2016146534) COMPOSANT OPTOÉLECTRONIQUE ET PROCÉDÉ DE FABRICATION D’UN COMPOSANT OPTOÉLECTRONIQUE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2016/146534    N° de la demande internationale :    PCT/EP2016/055322
Date de publication : 22.09.2016 Date de dépôt international : 11.03.2016
CIB :
H01L 51/52 (2006.01)
Déposants : OSRAM OLED GMBH [DE/DE]; Wernerwerkstraße 2 93049 Regensburg (DE)
Inventeurs : RIEDEL, Daniel; (DE).
WEHLUS, Thomas; (DE)
Mandataire : VIERING, JENTSCHURA & PARTNER MBB; Grillparzerstr. 14 81675 München (DE)
Données relatives à la priorité :
10 2015 103 805.6 16.03.2015 DE
Titre (DE) OPTOELEKTRONISCHES BAUELEMENT UND VERFAHREN ZUM HERSTELLEN EINES OPTOELEKTRONISCHEN BAUELEMENTS
(EN) OPTOELECTRONIC COMPONENT AND METHOD FOR PRODUCING AN OPTOELECTRONIC COMPONENT
(FR) COMPOSANT OPTOÉLECTRONIQUE ET PROCÉDÉ DE FABRICATION D’UN COMPOSANT OPTOÉLECTRONIQUE
Abrégé : front page image
(DE)In verschiedenen Ausführungsbeispielen werden ein optoelektronisches Bauelement (1) und ein Verfahren zum Herstellen eines optoelektronischen Bauelements (1) bereitgestellt. Das optoelektronische Bauelement (1) weist einen Träger (12), eine erste Elektrode (20) auf dem Träger (12), eine organische funktionelle Schichtenstruktur (22) über der ersten Elektrode (20), eine zweite Elektrode (23) auf der organischen funktionellen Schichtenstruktur (22), und mindestens eine Planarisierungsschicht (2) auf, die auf dem Träger (12) angeordnet ist und mit dem Träger (12) in körperlichem Kontakt ist, und/oder auf der ersten Elektrode (20) angeordnet ist und mit der ersten Elektrode (20) in körperlichem Kontakt ist, und/oder auf der zweiten Elektrode (23) angeordnet ist und mit der zweiten Elektrode (23) in körperlichem Kontakt ist. Die mindestens eine Planarisierungsschicht (2) enthält elektrisch leitfähige Nanopartikel (122). Eine mittlere Rauheit einer Oberfläche der Planarisierungsschicht (2), die der Oberfläche der Planarisierungsschicht (2), die mit dem Träger (12) beziehungsweise der ersten Elektrode (20) beziehungsweise der zweiten Elektrode (23) in körperlichem Kontakt steht, gegenüberliegt, ist kleiner ist als ungefähr 50 nm.
(EN)An optoelectronic component (1) and a method for producing an optoelectronic component (1) are provided in various exemplary embodiments. The optoelectronic component (1) has a carrier (12), a first electrode (20) on the carrier (12), an organic functional layer structure (22) over the first electrode (20), a second electrode (23) on the organic functional layer structure (22), and at least one planarizing layer (2), which is arranged on the carrier (12) and is in physical contact with the carrier (12), and/or is arranged on the first electrode (20) and is in physical contact with the first electrode (20), and/or is arranged on the second electrode (23) and is in physical contact with the second electrode (23). The at least one planarizing layer (2) contains electrically conductive nanoparticles (122). An average roughness of a surface of the planarizing layer (2) which is opposite from the surface of the planarizing layer (2) that is in physical contact with the carrier (12) or the first electrode (20) or the second electrode (23) is less than approximately 50 nm.
(FR)Divers modes de réalisation se rapportent à un composant optoélectronique (1) et à un procédé de fabrication d’un composant optoélectronique (1). Le composant optoélectronique (1) comprend un support (12), une première électrode (20) sur le support (12), une structure de couches organique fonctionnelle (22) au-dessus de la première électrode (20), une deuxième électrode (23) sur la structure de couches organique fonctionnelle (22) et au moins une couche de planarisation (2) qui est disposée sur le support (12) et est en contact physique avec le support (12), et/ou est disposée sur la première électrode (20) et est en contact physique avec la première électrode (20), et/ou est disposée sur la deuxième électrode (23) et est en contact physique avec la deuxième électrode (23). La ou les couches de planarisation (2) contiennent des nanoparticules (122) électroconductrices. Une rugosité moyenne d’une surface de la couche de planarisation (2), qui se trouve en face de la surface de la couche de planarisation (2) qui est en contact physique avec le support (12) respectivement avec la première électrode (20) respectivement avec la deuxième électrode (23), est inférieure à environ 50 nm.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : allemand (DE)
Langue de dépôt : allemand (DE)