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1. (WO2016146200) DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR OPTOÉLECTRONIQUE ET UN PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UN DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR OPTOÉLECTRONIQUE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2016/146200    N° de la demande internationale :    PCT/EP2015/055835
Date de publication : 22.09.2016 Date de dépôt international : 19.03.2015
CIB :
H01L 33/50 (2010.01)
Déposants : OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH [DE/DE]; Leibnizstr. 4 93055 Regensburg (DE)
Inventeurs : CHOOI, Kah Mun; (MY).
KHOO, Lay Sin; (MY).
CADIZ SIGALAT, Rodello; (MY).
YAP, Boon Liang; (MY)
Mandataire : PATENT ATTORNEYS WILHELM & BECK; Prinzenstr. 13 80639 Munich (DE)
Données relatives à la priorité :
Titre (EN) AN OPTOELECTRONIC SEMICONDUCTOR DEVICE AND A METHOD FOR PRODUCING AN OPTOELECTRONIC SEMICONDUCTOR DEVICE
(FR) DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR OPTOÉLECTRONIQUE ET UN PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UN DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR OPTOÉLECTRONIQUE
Abrégé : front page image
(EN)An optoelectronic semiconductor device comprises a carrier. An optoelectronic semiconductor chip is arranged on the carrier. A molded wavelength conversion layer is arranged on top of an emission face of the optoelectronic semiconductor chip. A molded lens is arranged on top of the wavelength conversion layer.
(FR)Un dispositif à semi-conducteur optoélectronique comprend un support. Une puce à semi-conducteur optoélectronique comprend un support. Une couche de conversion de longueur d'onde moulée est disposée sur une face d'émission de la puce à semi-conducteur optoélectronique. Une lentille moulée est disposée sur le dessus de la couche de conversion de longueur d'onde.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)