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1. (WO2016145822) SUBSTRAT DE MATRICE ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2016/145822    N° de la demande internationale :    PCT/CN2015/090687
Date de publication : 22.09.2016 Date de dépôt international : 25.09.2015
CIB :
H01L 21/77 (2006.01), H01L 51/56 (2006.01), H01L 27/32 (2006.01)
Déposants : BOE TECHNOLOGY GROUP CO., LTD. [CN/CN]; No.10 Jiuxianqiao Rd., Chaoyang District Beijing 100015 (CN)
Inventeurs : CHEN, Jiangbo; (CN).
CHENG, Jun; (CN).
JIANG, Chunsheng; (CN).
LIU, Xiaodi; (CN).
KONG, Xiangyong; (CN)
Mandataire : CHINA SCIENCE PATENT & TRADEMARK AGENT LTD.; Suite 4-1105, No. 87, West 3rd Ring North Rd., Haidian District Beijing 100089 (CN)
Données relatives à la priorité :
201510114304.5 16.03.2015 CN
Titre (EN) ARRAY SUBSTRATE AND MANUFACTURING METHOD THEREFOR
(FR) SUBSTRAT DE MATRICE ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
(ZH) 阵列基板及其制作方法
Abrégé : front page image
(EN)An array substrate and a manufacturing method thereof are provided, the array substrate comprises a first region corresponding to the through hole of the switch transistor, a second region corresponding to the through hole of the drive transistor, and a third region in addition to the first region and the second region, and the method comprising: forming a gate electrode patterning, a gate insulation layer, an active layer patterning and an etching barrier layer on a substrate; forming a photoresist layer on the etching barrier layer; carrying out a primary patterning process on the photoresist layer, thereby etching the photoresist in the first region partly, etching the photoresist in the second region completely, and reserving the photoresist in the third region completely; etching away the remaining photoresist and the etching barrier layer in the first region, and the etching barrier layer and the gate insulating layer in the second region by the same etching process. The method can form a through hole of a switch TFT and a through hole of a drive TFT by the primary patterning process, and can reduce the damage in the channel of the through hole region of the switch TFT.
(FR)L'invention concerne un substrat de matrice et son procédé de fabrication, le substrat de matrice comprenant une première région correspondant à un trou traversant d'un transistor de commutation, une deuxième région correspondant à un trou traversant d'un transistor d'attaque, et une troisième région en plus de la première région et de la deuxième région, et le procédé consistant : à former des motifs d'électrode de grille, une couche d'isolation de grille, des motifs de couche active et une couche d'arrêt de gravure sur un substrat ; à former une couche de résine photosensible sur la couche d'arrêt de gravure ; à effectuer un processus de formation des motifs primaire sur la couche de résine photosensible, ce qui permet de graver partiellement la résine photosensible dans la première région, de graver complètement la résine photosensible dans la deuxième région, et de réserver complètement la résine photosensible dans la troisième région ; à éliminer par gravure la résine photosensible restante et la couche d'arrêt de gravure dans la première région, et la couche d'arrêt de gravure et la couche d'isolation de grille dans la deuxième région par le même processus de gravure. Le procédé peut former un trou traversant d'un transistor à couches minces (TFT) de commutation et un trou traversant d'un TFT d'attaque par le processus de formation de motifs primaire, et peut réduire l'endommagement dans le canal de la région de trou traversant du TFT de commutation.
(ZH)提供了一种阵列基板及其制作方法,其中阵列基板包括与开关晶体管的过孔对应的第一区域、与驱动晶体管的过孔对应的第二区域、以及除第一区域和第二区域之外的第三区域,该方法包括:在基底上形成栅极图形、栅绝缘层、有源层图形和刻蚀阻挡层;在刻蚀阻挡层上形成光刻胶层;对光刻胶层进行一次图案化工艺,使得第一区域内的光刻胶被部分刻蚀,第二区域内的光刻胶被完全刻蚀,并且第三区域内的光刻胶被完全保留;通过同一刻蚀工艺蚀掉第一区域内的剩余光刻胶和刻蚀阻挡层,以及第二区域内的刻蚀阻挡层和栅绝缘层。该方法能够通过一次图案化工艺形成开关TFT的过孔和驱动TFT的过孔,并能降低开关TFT的过孔区域的沟道被损坏的程度。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : chinois (ZH)
Langue de dépôt : chinois (ZH)