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1. (WO2016145769) TRANSISTOR À COUCHES MINCES ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION, SUBSTRAT MATRICIEL ET APPAREIL D'AFFICHAGE

Pub. No.:    WO/2016/145769    International Application No.:    PCT/CN2015/086443
Publication Date: Fri Sep 23 01:59:59 CEST 2016 International Filing Date: Tue Aug 11 01:59:59 CEST 2015
IPC: H01L 29/786
Applicants: BOE TECHNOLOGY GROUP CO., LTD.
京东方科技集团股份有限公司
Inventors: ZHANG, Li
张立
Title: TRANSISTOR À COUCHES MINCES ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION, SUBSTRAT MATRICIEL ET APPAREIL D'AFFICHAGE
Abstract:
L'invention concerne un transistor à couches minces et un procédé pour sa fabrication, un substrat matriciel et un appareil d'affichage. Le transistor à couches minces comprend : une couche active (2), la totalité de la couche active étant située dans un même plan ; une électrode source (3) située sur la couche active (2) et agencée en contact avec la couche active (2) ; une première couche d'isolation (130) située sur l'électrode source (3), la première couche d'isolation (130) comprenant un premier trou d'interconnexion (6) ; et une électrode drain (4) située sur la première couche d'isolation (130), l'électrode drain étant en contact avec la couche active (2) à travers le premier trou d'interconnexion (6).