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1. (WO2016144813) CELLULE DE MÉMOIRE À JONCTION DE JOSEPHSON MAGNÉTIQUE À HYSTÉRÉSIS DE PHASE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2016/144813    N° de la demande internationale :    PCT/US2016/021028
Date de publication : 15.09.2016 Date de dépôt international : 04.03.2016
CIB :
G11C 11/44 (2006.01), H01L 39/22 (2006.01)
Déposants : NORTHROP GRUMMAN SYSTEMS CORPORATION [US/US]; 2980 Fairview Park Drive Falls Church, Virginia 22042-4511 (US)
Inventeurs : HERR, Anna Y.; (US).
HERR, Quentin P.; (US).
MIKLICH, Andrew Hostetler; (US)
Mandataire : HARRIS, Christopher P.; (US)
Données relatives à la priorité :
14/645,103 11.03.2015 US
Titre (EN) PHASE HYSTERETIC MAGNETIC JOSEPHSON JUNCTION MEMORY CELL
(FR) CELLULE DE MÉMOIRE À JONCTION DE JOSEPHSON MAGNÉTIQUE À HYSTÉRÉSIS DE PHASE
Abrégé : front page image
(EN)One embodiment describes a memory cell. The memory cell includes a phase hysteretic magnetic Josephson junction (PHMJJ) that is configured to store one of a first binary logic state corresponding to a binary logic-1 state and a second binary logic state corresponding to a binary logic-0 state in response to a write current that is provided to the memory cell and to generate a superconducting phase based on the stored digital state. The memory cell also includes a superconducting read- select device that is configured to implement a read operation in response to a read current that is provided to the memory cell. The memory cell further includes at least one Josephson junction configured to provide an output based on the superconducting phase of the PHMJJ during the read operation, the output corresponding to the stored digital state.
(FR)Un mode de réalisation a trait à une cellule de mémoire. La cellule de mémoire comprend une jonction de Josephson magnétique à hystérésis de phase (PHMJJ) qui est configurée pour stocker un premier état logique binaire correspondant à un état logique binaire 1 et un second état logique binaire correspondant à un état logique binaire 0 en réponse à un courant d’écriture qui est fourni à la cellule de mémoire et pour générer une phase de supraconduction sur la base de l’état numérique stocké. La cellule de mémoire comprend également un dispositif de sélection de lecture de supraconduction qui est configuré pour mettre en œuvre une opération de lecture en réponse à un courant de lecture qui est fourni à la cellule de mémoire. La cellule de mémoire comprend en outre au moins une jonction de Josephson configurée pour fournir une sortie sur la base de la phase de supraconduction de la jonction PHMJJ durant l’opération de lecture, la sortie correspondant à l’état numérique stocké.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)