WIPO logo
Mobile | Deutsch | English | Español | 日本語 | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

Recherche dans les collections de brevets nationales et internationales
World Intellectual Property Organization
Recherche
 
Options de navigation
 
Traduction
 
Options
 
Quoi de neuf
 
Connexion
 
Aide
 
Traduction automatique
1. (WO2016144436) MÉMOIRE VIVE MAGNÉTORÉSISTIVE À TRANSFERT DE COUPLE DE ROTATION MULTIBIT COMPRENANT DES SOUS-RÉSEAUX
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2016/144436    N° de la demande internationale :    PCT/US2016/015932
Date de publication : 15.09.2016 Date de dépôt international : 01.02.2016
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    05.01.2017    
CIB :
G11C 11/16 (2006.01), G11C 11/56 (2006.01), G06F 12/0897 (2016.01)
Déposants : QUALCOMM INCORPORATED [US/US]; 5775 Morehouse Drive San Diego, California 92121-1714 (US)
Inventeurs : LU, Yu; (US).
LI, Xia; (US)
Mandataire : TOLER, Jeffrey G.; (US)
Données relatives à la priorité :
14/645,213 11.03.2015 US
Titre (EN) MULTI-BIT SPIN TORQUE TRANSFER MAGNETORESISTIVE RANDOM ACCESS MEMORY STT-MRAM USING SERIES MAGNETIC TUNNEL JUNCTIONS
(FR) MÉMOIRE VIVE MAGNÉTORÉSISTIVE À TRANSFERT DE COUPLE DE ROTATION MULTIBIT COMPRENANT DES SOUS-RÉSEAUX
Abrégé : front page image
(EN)A device includes a first magnetic tunnel junction (MTJ) element having a first read margin and a second MTJ element having a second read margin. The first read margin is greater than twice the second read margin. The device also includes an access transistor connected between the first MTJ element and the second MTJ element. A gate of the access transistor is coupled to a word line. The first MTJ element, the second MTJ element, and the access transistor form a multi-bit spin torque transfer magnetoresistive random access memory (STT-MRAM) memory cell.
(FR)L'invention concerne un dispositif qui comprend un premier élément de jonction à effet tunnel magnétique (MTJ) ayant une première marge de lecture et un second élément MTJ ayant une seconde marge de lecture. La première marge de lecture est deux fois plus grande que la seconde marge de lecture. Le dispositif comprend également un transistor d'accès couplé entre le premier élément MTJ et le second élément MTJ. Une grille du transistor d'accès est couplée à une ligne de mots. Le premier élément MTJ, le second élément MTJ et le transistor d'accès forment une cellule de mémoire de mémoire vive magnétorésistive à transfert de couple de rotation multibit (STT-MRAM).
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)