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1. (WO2016143960) DISPOSITIF DE MÉMOIRE VIVE RÉSISTIVE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2016/143960    N° de la demande internationale :    PCT/KR2015/008899
Date de publication : 15.09.2016 Date de dépôt international : 26.08.2015
CIB :
H01L 27/115 (2006.01), H01L 27/24 (2006.01)
Déposants : SEOUL NATIONAL UNIVERSITY R&DB FOUNDATION [KR/KR]; (Sillim-dong) 1, Gwanak-ro Gwanak-gu Seoul 151-742 (KR)
Inventeurs : KWON, Deok Hwang; (KR).
KIM, Mi Young; (KR)
Mandataire : KIM, Nam Sik; (KR)
Données relatives à la priorité :
10-2015-0034210 12.03.2015 KR
Titre (EN) RESISTANCE RANDOM ACCESS MEMORY DEVICE
(FR) DISPOSITIF DE MÉMOIRE VIVE RÉSISTIVE
(KO) 저항 변화 메모리 소자
Abrégé : front page image
(EN)Provided is a resistance random access memory device comprising: a first electrode; a second electrode; and a metallic oxide formed between the first electrode and the second electrode. Particularly, provided is a resistance random access memory device wherein the metallic oxide comprises a first crystal grain and a second crystal grain which differ from each other in crystallographic orientation and form a boundary area; wherein a surface is intervened between the first crystal grain and the second crystal grain in the boundary area, the surface having a surface index corresponding to a surface crystallographically consisting only of oxygen among the crystal faces of the metallic oxide; and wherein the boundary area is a surface in which an electrically conductive path is formed when voltage is applied between the first electrode and the second electrode.
(FR)L'invention concerne un dispositif de mémoire vive résistive comprenant : une première électrode ; une seconde électrode ; et un oxyde métallique formé entre la première électrode et la seconde électrode. En particulier, l'invention concerne un dispositif de mémoire vive résistive dans lequel l'oxyde métallique comprend un premier grain cristallin et un second grain cristallin qui diffèrent l'un de l'autre en terme d'orientation cristallographique et forment une zone frontière ; dans lequel une surface est intercalée entre le premier grain cristallin et le second grain cristallin dans la zone frontière, la surface ayant un indice de surface correspondant à une surface constituée uniquement, d'un point de vue cristallographique, d'oxygène parmi les faces cristallines de l'oxyde métallique ; et dans lequel la zone frontière est une surface dans laquelle un chemin électriquement conducteur est formé lorsqu'une tension est appliquée entre la première électrode et la seconde électrode.
(KO)본 발명은 제 1 전극, 제 2 전극 및 상기 제 1 전극과 상기 제 2 전극 사이에 형성되는 금속산화물을 포함하는 저항변화 메모리 소자가 제공된다. 구체적으로 상기 금속산화물은 서로 결정방향의 차이를 가지며 경계영역을 이루는 제 1 결정립 및 제 2 결정립을 포함하고, 상기 경계영역에는 상기 금속산화물의 결정면 중 결정학적으로 산소로만 이루어진 면에 해당되는 면지수를 가지는 면이 상기 제 1 결정립 및 상기 제 2 결정립 사이에 개재되고, 상기 경계영역은 상기 제 1 전극과 상기 제 2 전극 간에 전압이 인가될 경우 전기전도가 가능한 경로가 형성되는 면인, 저항변화 메모리 소자가 제공된다.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : coréen (KO)
Langue de dépôt : coréen (KO)