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1. (WO2016143631) PROCÉDÉ DE FABRICATION POUR JONCTION, PROCÉDÉ DE FABRICATION POUR SUBSTRAT POUR MODULE D'ALIMENTATION AVEC DISSIPATEUR DE CHALEUR, ET PROCÉDÉ DE FABRICATION POUR DISSIPATEUR DE CHALEUR
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2016/143631    N° de la demande internationale :    PCT/JP2016/056409
Date de publication : 15.09.2016 Date de dépôt international : 02.03.2016
CIB :
B23K 20/00 (2006.01), B23K 1/00 (2006.01), H01L 23/40 (2006.01), B23K 101/40 (2006.01)
Déposants : MITSUBISHI MATERIALS CORPORATION [JP/JP]; 3-2, Otemachi 1-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1008117 (JP)
Inventeurs : TERASAKI Nobuyuki; (JP).
NAGATOMO Yoshiyuki; (JP)
Mandataire : SHIGA Masatake; (JP)
Données relatives à la priorité :
2015-048151 11.03.2015 JP
2016-025164 12.02.2016 JP
Titre (EN) MANUFACTURING METHOD FOR JUNCTION, MANUFACTURING METHOD FOR SUBSTRATE FOR POWER MODULE WITH HEAT SINK, AND MANUFACTURING METHOD FOR HEAT SINK
(FR) PROCÉDÉ DE FABRICATION POUR JONCTION, PROCÉDÉ DE FABRICATION POUR SUBSTRAT POUR MODULE D'ALIMENTATION AVEC DISSIPATEUR DE CHALEUR, ET PROCÉDÉ DE FABRICATION POUR DISSIPATEUR DE CHALEUR
(JA) 接合体の製造方法、ヒートシンク付パワーモジュール用基板の製造方法、及び、ヒートシンクの製造方法
Abrégé : front page image
(EN)Provided is a manufacturing method for a junction formed by joining a copper member (13B) comprising copper or a copper alloy, and an aluminum member (31) comprising an aluminum alloy having an Si concentration in a range of not lower than 1 mass% and not higher than 25 mass%. The manufacturing method for the junction is characterized by: setting, in the aluminum member before joining, a circle equivalent diameter D90 of an Si phase in a junction surface with the copper member to be in a range of not smaller than 1 μm and not larger than 8 μm; and joining by solid phase diffusion the aluminum member and the copper member.
(FR)L'invention concerne un procédé de fabrication pour une jonction formée par liaison d'un élément de cuivre (13B), comprenant du cuivre ou un alliage de cuivre, et d'un élément d'aluminium (31) comprenant un alliage d'aluminium ayant une concentration en Si dans une plage non-inférieure à 1 % en masse et non-supérieure à 25 % en masse. Le procédé de fabrication pour la jonction est caractérisé par les étapes suivantes : définir, dans l'élément d'aluminium avant la liaison, un diamètre équivalent circulaire D90 d'une phase de Si dans une surface de jonction avec l'élément de cuivre pour être dans une plage non-inférieure à 1 µm et non-supérieure à 8 µm ; et relier, par diffusion en phase solide, l'élément d'aluminium et l'élément de cuivre.
(JA)銅又は銅合金からなる銅部材(13B)と、Si濃度が1mass%以上25mass%以下の範囲内とされたアルミニウム合金からなるアルミニウム部材(31)と、が接合されてなる接合体の製造方法であって、接合前のアルミニウム部材において、銅部材との接合面におけるSi相の円相当径のD90を1μm以上8μm以下の範囲内とし、このアルミニウム部材と銅部材とを固相拡散接合することを特徴とする。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)