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1. (WO2016143475) PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UN ÉLÉMENT DE COUCHE MINCE PIÉZOÉLECTRIQUE, ET ÉLÉMENT DE COUCHE MINCE PIÉZOÉLECTRIQUE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication : WO/2016/143475 N° de la demande internationale : PCT/JP2016/054563
Date de publication : 15.09.2016 Date de dépôt international : 17.02.2016
CIB :
H01L 41/316 (2013.01) ,C23C 14/06 (2006.01) ,C23C 14/34 (2006.01) ,H01L 41/187 (2006.01)
Déposants : MURATA MANUFACTURING CO., LTD.[JP/JP]; 10-1, Higashikotari 1-chome, Nagaokakyo-shi, Kyoto 6178555, JP
Inventeurs : MATSUKI, Yoshitaka; JP
IKEUCHI, Shinsuke; JP
YONEDA, Toshimaro; JP
ENDO, Naoyuki; JP
Mandataire : MIYAZAKI & METSUGI; Chuo Odori FN Bldg., 3-8, Tokiwamachi 1-chome, Chuo-ku, Osaka-shi, Osaka 5400028, JP
Données relatives à la priorité :
2015-04606809.03.2015JP
Titre (EN) METHOD FOR MANUFACTURING PIEZOELECTRIC THIN FILM ELEMENT, AND PIEZOELECTRIC THIN FILM ELEMENT
(FR) PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UN ÉLÉMENT DE COUCHE MINCE PIÉZOÉLECTRIQUE, ET ÉLÉMENT DE COUCHE MINCE PIÉZOÉLECTRIQUE
(JA) 圧電薄膜素子の製造方法及び圧電薄膜素子
Abrégé : front page image
(EN) Provided is a method for manufacturing a piezoelectric thin film element that is not susceptible to the occurrence of a crack in a piezoelectric thin film, while having excellent piezoelectric characteristics. A method for manufacturing a piezoelectric thin film element 1, which comprises: a step for forming a piezoelectric thin film 3 that contains potassium-sodium niobate on a substrate 2 by sputtering; and a step for forming first and second electrodes 4, 5 that are in contact with the piezoelectric thin film 3. In the step for forming the piezoelectric thin film 3, the piezoelectric thin film 3 is formed by sequentially forming a first piezoelectric thin film part 3a and a second piezoelectric thin film part 3b, which is thicker than the first piezoelectric thin film part 3a, in this order with use of a same target. In addition, during the formation of these film parts, the first piezoelectric thin film part 3a is formed at a lower film formation rate than the film formation rate of the second piezoelectric thin film part 3b.
(FR) L'invention concerne un procédé de fabrication d'un élément de couche mince piézoélectrique qui n'est pas prédisposé à l'apparition d'une fissure dans une couche mince piézoélectrique, tout en ayant d'excellentes caractéristiques piézoélectriques. Un procédé de fabrication d'un élément de couche mince piézoélectrique 1, comprend : une étape de formation d'une couche mince piézoélectrique 3 qui contient du niobate de potassium et de sodium sur un substrat 2 par pulvérisation cathodique ; et une étape de formation de première et seconde électrodes 4, 5 qui sont en contact avec la couche mince piézoélectrique 3. Lors de l'étape de formation de la couche mince piézoélectrique 3, la couche mince piézoélectrique 3 est formée par formation séquentielle d'une première partie de couche mince piézoélectrique 3a et d'une seconde partie de couche mince piézoélectrique 3b, qui est plus épaisse que la première partie de couche mince piézoélectrique 3a, dans cet ordre avec utilisation d'une même cible. En outre, pendant la formation de ces parties de couche, la première partie de couche mince piézoélectrique 3a est formée à une vitesse de formation de couche inférieure à la vitesse de formation de couche de la seconde partie de couche mince piézoélectrique 3b.
(JA)  圧電薄膜にクラックが生じ難く、かつ圧電特性に優れた圧電薄膜素子の製造方法を提供する。 スパッタリングにより、基板2上に、ニオブ酸カリウムナトリウムを含む圧電薄膜3を成膜する工程と、圧電薄膜3に接する、第1及び第2の電極4,5を形成する工程とを備え、圧電薄膜3を成膜する工程において、同一のターゲットを用い、第1の圧電薄膜部分3aと、該第1の圧電薄膜部分3aより厚みが厚い第2の圧電薄膜部分3bとをこの順に成膜することにより圧電薄膜3を成膜し、かつ、上記成膜に際し、第1の圧電薄膜部分3aを、第2の圧電薄膜部分3bの成膜速度より遅い成膜速度で成膜する、圧電薄膜素子1の製造方法。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)