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1. (WO2016143427) DISPOSITIF DE PORTE-SUBSTRAT ÉLECTROSTATIQUE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2016/143427    N° de la demande internationale :    PCT/JP2016/053386
Date de publication : 15.09.2016 Date de dépôt international : 04.02.2016
CIB :
H01L 21/683 (2006.01), H02N 13/00 (2006.01)
Déposants : SUMITOMO OSAKA CEMENT CO., LTD. [JP/JP]; 6-28, Rokuban-cho, Chiyoda-ku, Tokyo 1028465 (JP)
Inventeurs : KUGIMOTO Hironori; (JP)
Mandataire : SHIGA Masatake; (JP)
Données relatives à la priorité :
2015-049463 12.03.2015 JP
Titre (EN) ELECTROSTATIC CHUCK DEVICE
(FR) DISPOSITIF DE PORTE-SUBSTRAT ÉLECTROSTATIQUE
(JA) 静電チャック装置
Abrégé : front page image
(EN)The purpose of the present invention is to provide an electrostatic chuck device that can be used even in high-temperature environment, said electrostatic chuck device having a high heat resistance. An electrostatic chuck device (1) is provided with: an electrostatic chuck section (2), which has a placing surface (19) having a board-like sample W placed on one main surface, and which is provided with an electrostatic attraction electrode (13); a temperature adjustment base section (3), which is disposed on the opposite side to the placing surface (19) with respect to the electrostatic chuck section (2), and which cools the electrostatic chuck section (2); a heater element (5) disposed in a layer-shape between the electrostatic chuck section (2) and the temperature adjustment base section (3); and a first bonding layer (4a), which is provided between the heater element (5) and the electrostatic chuck section (2), and which bonds the heater element (5) and the electrostatic chuck section (2) to each other. The first bonding layer (4a) is formed of an inorganic glass or an inorganic material having a partially crystallized glass structure.
(FR)L'objet de la présente invention est de fournir un dispositif de porte-substrat électrostatique qui peut être utilisé même dans des environnements à haute température, ledit dispositif de porte-substrat électrostatique ayant une résistance élevée à la chaleur. Un dispositif (1) de porte-substrat électrostatique est pourvu : d'une section (2) de porte-substrat électrostatique, qui a une surface de placement (19) ayant un échantillon en forme de carte W placé sur une surface principale, et qui est pourvue d'une électrode d'attraction électrostatique (13) ; d'une section de base de réglage de température (3), qui est disposée sur le côté opposé à la surface de placement (19) par rapport à la section (2) de porte-substrat électrostatique, et qui refroidit la section (2) de porte-substrat électrostatique ; d'un élément chauffant (5) disposé sous forme de couche entre la section (2) de porte-substrat électrostatique et la section de base de réglage de température (3) ; et d'une première couche de liaison (4a), qui est disposée entre l'élément chauffant (5) et la section (2) de porte-substrat électrostatique, et qui lie l'élément chauffant (5) et la section (2) de porte-substrat électrostatique l'un à l'autre. La première couche de liaison (4a) est constituée d'un verre inorganique ou d'une matière inorganique ayant une structure de verre partiellement cristallisée.
(JA)高温環境下でも使用することが可能な耐熱性の高い静電チャック装置の提供を目的とする。一主面に板状試料Wを載置する載置面(19)を有するとともに静電吸着用電極(13)を備えた静電チャック部(2)と、静電チャック部(2)に対し載置面(19)とは反対側に配置され静電チャック部(2)を冷却する温度調節用ベース部(3)と、静電チャック部(2)と温度調節用ベース部(3)との間に層状に配置されたヒータエレメント(5)と、ヒータエレメント(5)と静電チャック部(2)との間に設けられ、ヒータエレメント(5)と静電チャック部(2)とを接着する第1接着層(4a)と、を備え、第1接着層(4a)は、無機ガラスまたは一部結晶化したガラス構造を有する無機物からなる静電チャック装置(1)。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)