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1. (WO2016143398) PROCÉDÉ DE PRODUCTION DE CRISTAL
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2016/143398    N° de la demande internationale :    PCT/JP2016/052080
Date de publication : 15.09.2016 Date de dépôt international : 26.01.2016
CIB :
C30B 29/36 (2006.01), C30B 19/04 (2006.01)
Déposants : KYOCERA CORPORATION [JP/JP]; 6, Takeda Tobadono-cho, Fushimi-ku, Kyoto-shi, Kyoto 6128501 (JP)
Inventeurs : DOMOTO, Chiaki; (JP).
MASAKI, Katsuaki; (JP).
KUBA, Yutaka; (JP)
Données relatives à la priorité :
2015-044259 06.03.2015 JP
Titre (EN) METHOD FOR PRODUCING CRYSTAL
(FR) PROCÉDÉ DE PRODUCTION DE CRISTAL
(JA) 結晶の製造方法
Abrégé : front page image
(EN)This method for producing a crystal is a method for producing a crystal of silicon carbide, which comprises a preparation step, a contact step, a start step, a first growth step, a temperature lowering step and a second growth step. The preparation step has a step for preparing a solution and a seed crystal. The contact step has a step for bringing the seed crystal into contact with the solution. The start step has a step for starting the growth of a crystal by raising the temperature of the solution to a first temperature range. The first growth step has a step for growing the crystal by pulling the seed crystal, while raising the temperature of the solution from the first temperature range to a second temperature range. The temperature lowering step has a step for lowering the temperature of the solution from the second temperature range to the first temperature range. The second growth step has a step for further growing the crystal by pulling the seed crystal, while raising the temperature of the solution from the first temperature range to the second temperature range.
(FR)L'invention concerne un procédé de production d'un cristal qui est un procédé de production d'un cristal de carbure de silicium, comprenant une étape de préparation, une étape de mise en contact, une étape d'initiation, une première étape de croissance, une étape d'abaissement de la température et une seconde étape de croissance. L'étape de préparation comprend une étape consistant à préparer une solution et un germe cristallin. L'étape de mise en contact comprend une étape consistant à mettre en contact le germe cristallin avec la solution. L'étape d'initiation comprend une étape consistant à initier la croissance d'un cristal par l'élévation de la température de la solution jusqu'à une première plage de température. La première étape de croissance comprend une étape consistant à faire croître le cristal en tirant sur le germe cristallin, tout en augmentant la température de la solution de la première plage de température à une seconde plage de température. L'étape d'abaissement de la température comprend une étape consistant à abaisser la température de la solution de la seconde plage de température à la première plage de température. La seconde étape de croissance comprend une étape consistant à faire encore croître le cristal en tirant sur le germe cristallin, tout en augmentant la température de la solution de la première plage de température à la seconde plage de température.
(JA) 本開示の結晶の製造方法は、炭化珪素の結晶の製造方法であり、準備工程、接触工程、開始工程、第1成長工程、降温工程と第2成長工程を備える。準備工程は、溶液および種結晶を準備する工程を有する。接触工程は、種結晶を溶液に接触させる工程を有する。開始工程は、溶液の温度を第1温度域まで上げて結晶の成長を開始する工程を有する。第1成長工程は、溶液の温度を第1温度域から第2温度域まで上げながら、種結晶を引き上げることによって、結晶を成長させる工程を有する。降温工程は、溶液の温度を第2温度域から第1温度域まで下げる工程を有する。第2成長工程は、溶液の温度を第1温度域から第2温度域まで上げながら、種結晶を引き上げることによって、結晶をさらに成長させる工程を有する。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)