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1. (WO2016143221) DISPOSITIF OPTIQUE À SEMICONDUCTEURS ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2016/143221    N° de la demande internationale :    PCT/JP2015/085322
Date de publication : 15.09.2016 Date de dépôt international : 17.12.2015
CIB :
H01S 5/343 (2006.01), H01L 33/06 (2010.01), H01L 33/16 (2010.01), H01L 33/32 (2010.01)
Déposants : SONY CORPORATION [JP/JP]; 1-7-1, Konan, Minato-ku, Tokyo 1080075 (JP)
Inventeurs : TANGE Takashi; (JP).
TASAI Kunihiko; (JP).
KANITANI Yuya; (JP)
Mandataire : YAMAMOTO Takahisa; (JP)
Données relatives à la priorité :
2015-047003 10.03.2015 JP
Titre (EN) SEMICONDUCTOR OPTICAL DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREFOR
(FR) DISPOSITIF OPTIQUE À SEMICONDUCTEURS ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
(JA) 半導体光デバイス及びその製造方法
Abrégé : front page image
(EN)This semiconductor optical device has a laminate structure 30 formed by laminating a first compound semiconductor layer 31, an active layer 33, and a second compound semiconductor layer 32. The active layer 33 has a multiple quantum well structure including a plurality of well layers, and each well layer is formed of an AlInGaN-based compound semiconductor. When the atomic percentage of Indium of the AlInGaN-based compound semiconductor in each well layer is XIn, a value (ΔX=XIn-max-XIn-min), in a well layer of the active layer, obtained by subtracting a minimum value XIn-min of XIn from a maximum value XIn-max of XIn is 0.01 or lower.
(FR)L'invention concerne un dispositif optique à semi-conducteurs qui possède une structure stratifiée (30) formée par stratification d'une première couche de semi-conducteur composé (31), d'une couche active (33) et d'une seconde couche de semi-conducteur composé (32). La couche active (33) possède une structure à multiples puits quantiques comprenant une pluralité de couches de puits et chaque couche de puits est formée d'un semi-conducteur composé à base d'AlInGaN. Lorsque le pourcentage atomique de l'indium du semi-conducteur composé à base d'AlInGaN dans chaque couche de puits est XIn, une valeur (ΔX = XIn - max - XIn - min), dans une couche de puits de la couche active, obtenue en soustrayant une valeur minimale XIn - min de XIn d'une valeur maximale XIn - max de XIn est égale ou inférieure à 0,01.
(JA)半導体光デバイスは、第1化合物半導体層31、活性層33及び第2化合物半導体層32が積層されて成る積層構造体30を有しており、活性層33は複数の井戸層を備えた多重量子井戸構造を有しており、井戸層はAlInGaN系化合物半導体から成り、各井戸層におけるAlInGaN系化合物半導体のインジウム原子百分率をXInとしたとき、活性層の井戸層におけるXInの最大値XIn-maxからXInの最小値XIn-minを減じた値(ΔX=XIn-max-XIn-min)は0.01以下である。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)