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1. (WO2016143156) DÉTECTEUR DE RAYONNEMENT ET DISPOSITIF DE DÉTECTION DE RAYONNEMENT L'UTILISANT

Pub. No.:    WO/2016/143156    International Application No.:    PCT/JP2015/069453
Publication Date: Fri Sep 16 01:59:59 CEST 2016 International Filing Date: Tue Jul 07 01:59:59 CEST 2015
IPC: H01L 31/105
H01L 31/0312
G01T 1/24
Applicants: HITACHI, LTD.
株式会社日立製作所
Inventors: KAMESHIRO Norifumi
亀代 典史
SHIMA Akio
島 明生
Title: DÉTECTEUR DE RAYONNEMENT ET DISPOSITIF DE DÉTECTION DE RAYONNEMENT L'UTILISANT
Abstract:
La présente invention porte sur un détecteur de rayonnement qui utilise du SiC, qui a une structure dans laquelle un champ électrique est appliqué à l'intérieur de tous les cristaux de SiC servant en tant que couche sensible au rayonnement, et qui réduit à un minimum des diminutions dans un signal électrique généré par la couche sensible au rayonnement et détecte le rayonnement. Le détecteur de rayonnement comporte : une couche sensible au rayonnement qui comprend du carbure de silicium et qui génère des paires électron-trou lorsque le rayonnement est incident sur cette dernière; une première région semi-conductrice qui est en contact avec la couche sensible au rayonnement au niveau d'une première surface principale de cette dernière et qui a une première concentration en impuretés dans au moins la région en contact avec la couche sensible au rayonnement; une seconde région semi-conductrice qui est en contact avec une seconde surface principale sur le côté opposé de la première surface principale et qui a une seconde concentration en impuretés dans au moins la région en contact avec la couche sensible au rayonnement; une première électrode qui est connectée à la première région semi-conductrice; et une seconde électrode qui est connectée à la seconde région semi-conductrice. La concentration en impuretés dans la couche sensible au rayonnement adjacente à la première région semi-conductrice est discontinue par rapport à la première concentration en impuretés et la première surface principale sert en tant que limite entre ces dernières. La concentration en impuretés dans la couche sensible au rayonnement adjacente à la seconde région semi-conductrice est discontinue par rapport à la seconde concentration en impuretés et la seconde surface principale sert en tant que limite entre ces dernières. Un champ électrique est appliqué à la totalité de la couche sensible au rayonnement dans la direction de la profondeur à la tension utilisée pendant le fonctionnement.