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1. (WO2016142893) SYSTÈMES DE DOPAGE LIQUIDE ET PROCÉDÉS POUR LE DOPAGE CONTRÔLÉ D'UNE MASSE FONDUE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication : WO/2016/142893 N° de la demande internationale : PCT/IB2016/051357
Date de publication : 15.09.2016 Date de dépôt international : 10.03.2016
CIB :
C30B 15/04 (2006.01) ,C30B 29/06 (2006.01)
Déposants : SUNEDISON SEMICONDUCTOR LIMITED[SG/SG]; 9 Battery Road # 15-01, Straits Trading Building Singapore 049910, SG
Inventeurs : HARINGER, Stephan; IT
D'ANGELLA, Marco; IT
DIODA, Mauro; IT
Mandataire : MARKS & CLERK SINGAPORE LLP; Tanjong Pagar P O Box 636 Singapore 910816, SG
Données relatives à la priorité :
62/130,69210.03.2015US
Titre (EN) LIQUID DOPING SYSTEMS AND METHODS FOR CONTROLLED DOPING OF A MELT
(FR) SYSTÈMES DE DOPAGE LIQUIDE ET PROCÉDÉS POUR LE DOPAGE CONTRÔLÉ D'UNE MASSE FONDUE
Abrégé : front page image
(EN) A method of growing a doped monocrystalline ingot using a crystal growing system is provided. The crystal growing system includes a growth chamber, a dopant feeding device, and a feed tube. The method includes preparing a melt of semiconductor or solar- grade material in a crucible disposed within the growth chamber, introducing a solid dopant into the feed tube with the dopant feeding device, melting the solid dopant within the feed tube to a form a liquid dopant, introducing the liquid dopant into the melt below a surface of the melt, and growing a monocrystalline ingot from the melt by contacting the melt with a seed crystal and pulling the seed crystal away from the melt.
(FR) L'invention concerne un procédé de croissance d'un lingot monocristallin dopé à l'aide d'un système de croissance des cristaux. Le système de croissance des cristaux comprend une chambre de croissance, un dispositif d'alimentation en dopant et un tube d'alimentation. Le procédé consiste à préparer une masse fondue de matériau semi-conducteur ou de qualité solaire dans un creuset disposé à l'intérieur de la chambre de croissance, à introduire un dopant solide dans le tube d'alimentation avec le dispositif d'alimentation en dopant, à faire fondre le dopant solide à l'intérieur du tube d'alimentation pour former un dopant liquide, à introduire le dopant liquide dans la masse fondue sous la surface de la masse fondue, et à faire croître un lingot monocristallin à partir de la masse fondue par mise en contact de la masse fondue avec un cristal germe et retrait du germe cristallin de la masse fondue.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)