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1. (WO2016142588) LASER GERMANIUM SUR SILICIUM EN TECHNOLOGIE CMOS
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication : WO/2016/142588 N° de la demande internationale : PCT/FR2015/050555
Date de publication : 15.09.2016 Date de dépôt international : 06.03.2015
CIB :
H01S 5/02 (2006.01) ,H01S 5/32 (2006.01) ,H01S 5/227 (2006.01)
Déposants : STMICROELECTRONICS (CROLLES 2) SAS[FR/FR]; 850 Rue Jean Monnet F-38920 Crolles, FR
CENTRE NATIONAL DE LA RECHERCHE SCIENTIFIQUE[FR/FR]; 3 Rue Michel Ange F-75794 Paris Cedex 16, FR
UNIVERSITE PARIS SUD[FR/FR]; 15 Rue Georges Clémenceau F-91405 Orsay, FR
Inventeurs : PROST, Mathias; FR
EL KURDI, Moustafa; FR
BOUCAUD, Philippe; FR
BOEUF, Frédéric; FR
Mandataire : CABINET BEAUMONT; 1 Rue Champollion F-38000 Grenoble, FR
Données relatives à la priorité :
Titre (EN) GERMANIUM-ON-SILICON LASER IN CMOS TECHNOLOGY
(FR) LASER GERMANIUM SUR SILICIUM EN TECHNOLOGIE CMOS
Abrégé : front page image
(EN) The invention relates to a method for forming a germanium waveguide, comprising the following steps: providing a p-type silicon substrate (1) coated with a highly doped n-type germanium layer (3) and a first doped n-type silicon layer (5); forming trenches (7) that penetrate into the substrate so as to form, one above the other, a substrate band, a germanium band and a first silicon band (5); and coating the entire structure with a layer of silicon nitride (9).
(FR) L'invention concerne un procédé de formation d'un guide d'onde germanium comprenant les étapes suivantes: prévoir un substrat (1) de silicium de type P revêtu d'une couche de germanium (3) fortement dopée du type N et d'une première couche de silicium (5) dopée de type N; former des tranchées (7) pénétrant dans le substrat pour former en superposition une bande de substrat, une bande de germanium et une première bande de silicium (5); et revêtir l'ensemble de la structure d'une couche de nitrure de silicium (9).
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : français (FR)
Langue de dépôt : français (FR)