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1. (WO2016142226) PROCÉDÉ DE PRODUCTION DE COUCHES MINCES INORGANIQUES
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2016/142226    N° de la demande internationale :    PCT/EP2016/054371
Date de publication : 15.09.2016 Date de dépôt international : 02.03.2016
CIB :
C23C 16/455 (2006.01), C07D 207/08 (2006.01)
Déposants : BASF SE [DE/DE]; Carl-Bosch-Straße 38 67056 Ludwigshafen (DE)
Inventeurs : SPIELMANN, Jan; (DE).
ABELS, Falko; (DE).
BLASBERG, Florian; (DE).
FEDERSEL, Katharina; (DE).
SCHILDKNECHT, Christian; (DE).
LOEFFLER, Daniel; (DE).
ADERMANN, Torben; (DE).
FRANK, Juergen; (DE).
SCHIERLE-ARNDT, Kerstin; (DE).
WEIGUNY, Sabine; (DE)
Données relatives à la priorité :
15158835.7 12.03.2015 EP
Titre (EN) PROCESS FOR THE GENERATION OF THIN INORGANIC FILMS
(FR) PROCÉDÉ DE PRODUCTION DE COUCHES MINCES INORGANIQUES
Abrégé : front page image
(EN)The present invention is in the field of processes for the generation of thin inorganic films on substrates. In particular the present invention relates to a process comprising bringing a com- pound of general formula (I) into the gaseous or aerosol state Ln---M--Xm L= formula and depositing the compound of general formula (I) from the gaseous or aerosol state onto a solid substrate, wherein R1, R2, R3, R4, are independent of each other hydrogen, an alkyl group, an aryl group, or a SiA3 group with A being an alkyl or aryl group, and at least two of R1, R2, R3, R4 are a SiA3 group, n is an integer from 1 to 4, M is a metal or semimetal, X is a ligand which coordinates M, and m is an integer from 0 to 4.
(FR)La présente invention concerne le domaine des procédés de production de couches minces inorganiques sur des substrats. La présente invention concerne en particulier un procédé consistant à amener un composé de formule générale (I) dans l'état gazeux ou d'aérosol Ln---M--Xm L = formule et à déposer le composé de formule générale (I) de l'état gazeux ou d'aérosol sur le substrat solide, dans laquelle R1, R2, R3, R4 sont indépendamment les uns des autres un atome d'hydrogène, un groupe alkyle, un groupe aryle ou un groupe SiA3, A étant un groupe alkyle ou un groupe aryle, et au moins deux radicaux parmi R1, R2, R3, R4 sont un groupe SiA3, n est un entier valant 1 à 4, M est un métal ou un semi-métal, X est un ligand qui se coordonne à M et m est un entier valant 0 à 4.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)