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1. (WO2016141786) PROCÉDÉ DE FABRICATION DE TRANSISTOR À EFFET DE CHAMP
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2016/141786    N° de la demande internationale :    PCT/CN2016/072516
Date de publication : 15.09.2016 Date de dépôt international : 28.01.2016
CIB :
H01L 21/336 (2006.01), H01L 21/266 (2006.01), H01L 21/28 (2006.01), H01L 29/78 (2006.01)
Déposants : CSMC TECHNOLOGIES FAB2 CO., LTD. [CN/CN]; No.8 Xinzhou Road, Wuxi New District Wuxi, Jiangsu 214028 (CN)
Inventeurs : JIN, Yan; (CN)
Mandataire : ADVANCE CHINA IP LAW OFFICE; Room 3901, No. 85 Huacheng Avenue, Tianhe District Guangzhou, Guangdong 510623 (CN)
Données relatives à la priorité :
201510104516.5 10.03.2015 CN
Titre (EN) MANUFACTURING METHOD OF FIELD EFFECT TRANSISTOR
(FR) PROCÉDÉ DE FABRICATION DE TRANSISTOR À EFFET DE CHAMP
(ZH) 场效应晶体管的制作方法
Abrégé : front page image
(EN)A manufacturing method of a field effect transistor comprises: (S110) providing a substrate (100); (S120) forming a gate oxide layer on the substrate (100); (S130) forming a polysilicon layer (300) on the gate oxide layer; (S140) forming a photoresist (400) on the polysilicon layer (300); (S150) exposing and developing the photoresist (400) to form an exposed region to expose a part of the polysilicon layer (300); (S160) performing an impurity injection, at an injection angle of 45° - 83° with respect to a surface of the substrate (100), on a part of the polysilicon layer (300) located in the exposed region so as to form a source-end well region (112) on the substrate (100); (S170) etching one side of the polysilicon layer (300) to form a part of a gate-end polysilicon structure (310); (S180) removing the photoresist (400); (S190) etching the other side of the polysilicon layer (300) to form the gate-end polysilicon structure (310); and (S200) performing doping on the substrate (100) to form a source-end region (110) and a drain-end region (120).
(FR)La présente invention concerne un procédé de fabrication de transistor à effet de champ qui comprend les étapes consistant : (S110) à prendre un substrat (100); (S120) à former une couche d'oxyde de grille sur le substrat (100); (S130) à former une couche de polysilicium (300) sur la couche d'oxyde de grille; (S140) à former une résine photosensible (400) sur la couche de polysilicium (300); (S150) à exposer et développer la résine photosensible (400) pour former une zone exposée de manière à faire apparaître une partie de la couche de polysilicium (300); (S160) à effectuer une injection d'impuretés, à un angle d'injection de 45° à 83° par rapport à une surface du substrat (100), sur une partie de la couche de polysilicium (300) située dans la zone exposée de manière à former une zone de puits côté source (112) sur le substrat (100); (S170) à graver un côté de la couche de polysilicium (300) pour former une partie d'une structure de polysilicium côté grille (310); (S180) à éliminer la résine photosensible (400); (S190) à graver l'autre côté de la couche de polysilicium (300) pour former la structure de polysilicium côté grille (310); et (S200) à effectuer un dopage sur le substrat (100) pour former une zone côté source (110) et une zone côté drain (120).
(ZH)一种场效应晶体管的制作方法,包括:(S110)提供衬底(100);(S120)在所述衬底(100)上形成栅氧化层;(S130)在所述栅氧化层上形成多晶硅层(300);(S140)在所述多晶硅层(300)上形成光刻胶(400);(S150)对所述光刻胶(400)进行曝光和显影形成暴露区域,以暴露部分多晶硅层(300);(S160)沿与所述衬底(100)表面呈45°-83°的注入角度对位于所述暴露区域的所述部分多晶硅层(300)进行杂质注入,以在所述衬底(100)上形成源端阱区(112);(S170)对所述多晶硅层(300)一侧进行刻蚀,以形成部分栅端多晶硅结构(310);(S180)去除所述光刻胶(400);(S190)对所述多晶硅层(300)的另一侧进行刻蚀形成栅端多晶硅结构(310);以及(S200)在所述衬底(100)上进行掺杂形成源端区域(110)和漏端区域(120)。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : chinois (ZH)
Langue de dépôt : chinois (ZH)