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1. (WO2016141784) PROCÉDÉ DE FABRICATION POUR UN TRANSISTOR À EFFET DE CHAMP
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2016/141784    N° de la demande internationale :    PCT/CN2016/072470
Date de publication : 15.09.2016 Date de dépôt international : 28.01.2016
CIB :
H01L 21/336 (2006.01), H01L 21/266 (2006.01)
Déposants : CSMC TECHNOLOGIES FAB2 CO., LTD. [CN/CN]; No.8 Xinzhou Road, Wuxi New District Wuxi, Jiangsu 214028 (CN)
Inventeurs : WANG, Jiao; (CN).
HUANG, Feng; (CN).
ZHAO, Longjie; (CN).
LIN, Feng; (CN).
HAN, Guangtao; (CN).
SUN, Guipeng; (CN)
Mandataire : ADVANCE CHINA IP LAW OFFICE; Room 3901, No.85 Huacheng Avenue, Tianhe District Guangzhou, Guangdong 510623 (CN)
Données relatives à la priorité :
201510104438.9 10.03.2015 CN
Titre (EN) MANUFACTURING METHOD FOR FIELD EFFECT TRANSISTOR
(FR) PROCÉDÉ DE FABRICATION POUR UN TRANSISTOR À EFFET DE CHAMP
(ZH) 场效应晶体管的制作方法
Abrégé : front page image
(EN)A manufacturing method for a field effect transistor, comprising: (S110) providing a substrate; (S120) forming a gate oxide layer (200) on the substrate; (S130) forming a polycrystalline silicon layer (300) on the gate oxide layer (200); (S140) forming photoresist (400) on the polycrystalline silicon layer (300); (S150) exposing and developing the photoresist (400) to form an exposed area (310), so as to expose a part of the polycrystalline silicon layer (300); (S160) removing the part of the polycrystalline silicon layer (300) which is located in the exposed area (310) and the gate oxide layer (200) which is located under the part of the polycrystalline silicon layer; and (S170) implanting impurity in the exposed area (310) at an implantation angle of 70°-80° with the surface of the substrate (100) so as to form a source end well region (610) on the substrate (100).
(FR)La présente invention concerne un procédé de fabrication pour un transistor à effet de champ. Ledit procédé comprend : (S110) la fourniture d'un substrat; (S120) la formation d'une couche d'oxyde de grille (200) sur le substrat; (S130) la formation d'une couche de silicium polycristallin (300) sur la couche d'oxyde de grille (200); (S140) la formation d'une résine photosensible (400) sur la couche de silicium polycristallin (300); (S150) l'exposition et le développement de la résine photosensible (400) pour former une zone exposée (310), afin d'exposer une partie de la couche de silicium polycristallin (300); (S160) l'élimination de la partie de la couche de silicium polycristallin (300) qui est située dans la zone exposée (310) et de la couche d'oxyde de grille (200) qui est située sous la partie de la couche de silicium polycristallin; et (S170) l'implantation d'impureté dans la zone exposée (310) à un angle d'implantation de 70° à 80° par rapport à la surface du substrat (100) afin de former une région de puits d'extrémité source (610) sur le substrat (100).
(ZH)一种场效应晶体管的制作方法,包括:(S110)提供衬底;(S120)在所述衬底上形成栅氧化层(200);(S130)在所述栅氧化层(200)上形成多晶硅层(300);(S140)在所述多晶硅层(300)上形成光刻胶(400);(S150)对所述光刻胶(400)进行曝光和显影形成暴露区域(310),以暴露部分所述多晶硅层(300);(S160)去除位于所述暴露区域(310)的部分多晶硅层(300)及位于所述部分多晶硅层下方的栅氧化层(200);以及(S170)沿与所述衬底(100)表面呈70°-80°的注入角度对所述暴露区域(310)进行杂质注入,以在所述衬底(100)上形成源端阱区(610)。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : chinois (ZH)
Langue de dépôt : chinois (ZH)