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1. (WO2016141423) PROCÉDÉ, STRUCTURE, ET SUPERCONDENSATEUR
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2016/141423    N° de la demande internationale :    PCT/AU2016/050152
Date de publication : 15.09.2016 Date de dépôt international : 04.03.2016
CIB :
C01B 31/08 (2006.01), H01G 11/32 (2013.01), H01G 11/26 (2013.01), H01G 11/34 (2013.01), H01G 11/36 (2013.01), H01G 11/86 (2013.01), C23C 16/00 (2006.01), C23C 16/26 (2006.01), C23C 16/32 (2006.01), B32B 23/00 (2006.01)
Déposants : UNIVERSITY OF TECHNOLOGY SYDNEY [AU/AU]; 15-73 Broadway Ultimo, NSW 2007 (AU)
Inventeurs : AHMED, Mohsin; (BD).
IACOPI, Francesca; (AU)
Mandataire : DAVIES COLLISON CAVE PTY LTD; 1 Nicholson Street Melbourne, Victoria 3000 (AU)
Données relatives à la priorité :
2015900810 06.03.2015 AU
Titre (EN) A PROCESS, A STRUCTURE, AND A SUPERCAPACITOR
(FR) PROCÉDÉ, STRUCTURE, ET SUPERCONDENSATEUR
Abrégé : front page image
(EN)A process for forming high surface area graphene structures, the process including: depositing at least one metal on a surface of silicon carbide; heating the at least one metal and the silicon carbide to cause at least one of the metals to react with a portion of the silicon carbide to form silicide regions extending into an unreacted portion of the silicon carbide and graphene disposed between the silicide regions and the unreacted portion of the silicon carbide; and removing the silicide regions to provide a silicon carbide structure having a highly irregular surface and a surface layer of graphene.
(FR)La présente invention concerne un procédé permettant de former des structures de graphène à grande surface de contact, le procédé consistant à : déposer au moins un métal sur une surface de carbure de silicium ; chauffer ledit métal et le carbure de silicium pour amener au moins l'un des métaux à réagir avec une partie du carbure de silicium pour former des zones de siliciure s'étendant dans une partie du carbure de silicium n'ayant pas réagi et le graphène disposé entre les régions de siliciure et la partie de carbure de silicium n'ayant pas réagi ; et retirer les régions de siliciure pour produire une structure en carbure de silicium présentant une surface très irrégulière et une couche de surface de graphène.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)