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1. (WO2016141388) RÉINITIALISATION SANS PORTE POUR PIXELS DE CAPTEUR D'IMAGE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2016/141388    N° de la demande internationale :    PCT/US2016/021280
Date de publication : 09.09.2016 Date de dépôt international : 07.03.2016
CIB :
H01L 27/148 (2006.01), H01L 27/00 (2006.01), H01L 27/14 (2006.01), H01L 27/146 (2006.01), H04N 5/217 (2011.01)
Déposants : DARTMOUTH COLLEGE [US/US]; 11 Rope Ferry Road, HB 6210 Hanover, NH 03755 (US)
Inventeurs : FOSSUM, Eric, R.; (US).
MA, Jiaju; (US)
Mandataire : ROSSI, David, V.; (US)
Données relatives à la priorité :
62/128,983 05.03.2015 US
Titre (EN) GATELESS RESET FOR IMAGE SENSOR PIXELS
(FR) RÉINITIALISATION SANS PORTE POUR PIXELS DE CAPTEUR D'IMAGE
Abrégé : front page image
(EN)Some embodiments of the present disclosure are directed to an image sensor pixel that is configured for gateless reset of a floating diffusion. Some embodiments are directed to an image sensor comprising a plurality of pixels, at least one pixel comprising a floating diffusion formed in a semiconductor substrate; a transfer gate configured to selectively cause transfer of photocharge stored in the pixel to the floating diffusion; and a reset drain formed in the semiconductor substrate and spaced away from the floating diffusion by an intervening semiconductor region having a dopant type opposite to the dopant type of the reset drain and the floating diffusion, wherein the reset drain is configured to selectively reset the electrostatic potential of the floating diffusion in response to a voltage pulse applied to the reset drain.
(FR)Selon certains modes de réalisation, la présente invention concerne un pixel de capteur d'image qui est configuré pour une réinitialisation sans porte d'une diffusion flottante. Certains modes de réalisation portent sur un capteur d'image qui comprend une pluralité de pixels, au moins un pixel comprenant une diffusion flottante (FD) formée dans un substrat semi-conducteur; une porte de transfert (TG) conçue pour provoquer sélectivement le transfert de photo-charges stockées dans le pixel à la diffusion flottante; un drain de réinitialisation (RD) formé dans le substrat semi-conducteur et espacé de la diffusion flottante par une zone semi-conductrice intermédiaire ayant un type de dopant opposé au type de dopant du drain de réinitialisation et de la diffusion flottante, le drain de réinitialisation étant conçu pour réinitialiser sélectivement le potentiel électrostatique de la diffusion flottante en réponse à une impulsion de tension appliquée au drain de réinitialisation.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)