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1. (WO2016141132) PROCÉDÉS ET APPAREIL DE COMMANDE ET DE DÉCLENCHEMENT DE DÉCOLLAGE DE SUBSTRATS À PARTIR DE SUPPORTS
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication : WO/2016/141132 N° de la demande internationale : PCT/US2016/020593
Date de publication : 09.09.2016 Date de dépôt international : 03.03.2016
CIB :
H01L 21/301 (2006.01) ,H01L 21/78 (2006.01) ,H01L 51/56 (2006.01)
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21
Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02
Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
04
les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges
18
les dispositifs ayant des corps semi-conducteurs comprenant des éléments du quatrième groupe de la Classification Périodique, ou des composés AIIIBV, avec ou sans impuretés, p.ex. des matériaux de dopage
30
Traitement des corps semi-conducteurs en utilisant des procédés ou des appareils non couverts par les groupes H01L21/20-H01L21/26162
301
pour subdiviser un corps semi-conducteur en parties distinctes, p.ex. cloisonnement en zones séparées
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21
Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
70
Fabrication ou traitement de dispositifs consistant en une pluralité de composants à l'état solide ou de circuits intégrés formés dans ou sur un substrat commun, ou de parties constitutives spécifiques de ceux-ci; Fabrication de dispositifs à circuit intégré ou de parties constitutives spécifiques de ceux-ci
77
Fabrication ou traitement de dispositifs consistant en une pluralité de composants à l'état solide ou de circuits intégrés formés dans ou sur un substrat commun
78
avec une division ultérieure du substrat en plusieurs dispositifs individuels
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
51
Dispositifs à l'état solide qui utilisent des matériaux organiques comme partie active, ou qui utilisent comme partie active une combinaison de matériaux organiques et d'autres matériaux; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de tels dispositifs ou de leurs parties constitutives
50
spécialement adaptés pour l'émission de lumière, p.ex. diodes émettrices de lumière organiques (OLED) ou dispositifs émetteurs de lumière à base de polymères (PLED)
56
Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de tels dispositifs ou de leurs parties constitutives
Déposants :
CORNING INCORPORATED [US/US]; 1 Riverfront Plaza Corning, New York 14831, US
Inventeurs :
ALLINGTON, Eric Lewis; US
COBLE, Claire Renata; US
LI, Xinghua; US
LIU, Anping; US
Mandataire :
SCHMIDT, Jeffrey A; US
Données relatives à la priorité :
62/128,46804.03.2015US
62/153,16827.04.2015US
62/160,77913.05.2015US
Titre (EN) METHODS AND APPARATUS FOR CONTROLLING AND INITIATING DE-BONDING OF SUBSTRATES FROM CARRIERS
(FR) PROCÉDÉS ET APPAREIL DE COMMANDE ET DE DÉCLENCHEMENT DE DÉCOLLAGE DE SUBSTRATS À PARTIR DE SUPPORTS
Abrégé :
(EN) A method of processing a substrate is provided that includes the steps: obtaining a carrier having first and second primary surfaces, and a plurality of edges; obtaining a substrate having a silicon, glass, glass-ceramic or ceramic composition, wherein the substrate has been bonded to the first primary surface of the carrier using a surface modification layer to define a bond region between the carrier and the substrate; and directing a thermal input to an outer portion of the carrier or an outer portion of the substrate to produce a thermal-assisted mechanical stress in a portion of the bond region. Further, the directing step is conducted for a thermal input time sufficient to reduce a separation force for separating the carrier from the substrate after the bonding step and any additional thermal processing of the substrate prior to the directing step.
(FR) L'invention concerne un procédé de traitement d'un substrat qui comprend les étapes consistant à : obtenir un support ayant des première et seconde surfaces primaires, et une pluralité de bords ; obtenir un substrat ayant une composition de silicium, de verre, de vitrocéramique ou de céramique, lequel substrat a été collé à la première surface primaire du support au moyen d'une couche de modification de surface pour définir une zone de liaison entre le support et le substrat ; et orienter une entrée thermique vers une partie extérieure du support ou une partie extérieure du substrat pour produire une contrainte mécanique assistée thermiquement dans une partie de la zone de liaison. En outre, l'étape d'orientation est effectuée pendant une durée d'entrée thermique suffisante pour réduire une force de séparation pour séparer le support du substrat après l'étape de liaison et n'importe quel traitement thermique supplémentaire du substrat avant l'étape d'orientation.
front page image
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)