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1. (WO2016140975) PANNEAU ARRIÈRE À TFT SOUPLE INVERSÉ PAR ÉLIMINATION DE SUBSTRAT EN VERRE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication : WO/2016/140975 N° de la demande internationale : PCT/US2016/020278
Date de publication : 09.09.2016 Date de dépôt international : 01.03.2016
CIB :
H01L 21/00 (2006.01)
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21
Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
Déposants :
CBRITE INC. [US/US]; 421 Pine Ave. Goleta, CA 93117-3709, US
Inventeurs :
SHIEH, Chan-Long; US
FOONG, Fatt; US
YU, Gang; US
WANG, Guangming; US
Mandataire :
PARSONS, Robert, A.; US
Données relatives à la priorité :
14/635,86502.03.2015US
Titre (EN) REVERSED FLEXIBLE TFT BACK-PANEL BY GLASS SUBSTRATE REMOVAL
(FR) PANNEAU ARRIÈRE À TFT SOUPLE INVERSÉ PAR ÉLIMINATION DE SUBSTRAT EN VERRE
Abrégé :
(EN) The process of fabricating a flexible TFT back-panel includes depositing etch stop material on a glass support. A matrix of contact pads, gate electrodes and gate dielectric are deposited overlying the etch stop material. Vias are formed through the dielectric in communication with each pad. A matrix of TFTs is formed by depositing and patterning metal oxide semiconductor material to form an active layer of each TFT overlying the gate electrode. Source/drain metal is deposited on the active layer and in the vias in contact with the pads, the source/drain metal defining source/drain terminals of each TFT. Passivation material is deposited in overlying relationship to the TFTs. A color filter layer is formed on the passivation material and a flexible plastic carrier is affixed to the color filter. The glass support member and the etch stop material are then etched away to expose a surface of each of the pads.
(FR) L'invention concerne un procédé de fabrication d'un panneau arrière à transistors à couches minces (TFT) souple, qui consiste à déposer un matériau d'arrêt de gravure sur un support en verre. Une matrice de plots de contact, des électrodes de grille et un diélectrique de grille sont déposés au-dessus du matériau d'arrêt de gravure. Des trous d'interconnexion sont formés à travers le diélectrique, en communication avec chaque plot. Une matrice de TFT est formée par dépôt et formation des motifs de matériaux métal-oxyde-semi-conducteur afin de former une couche active de chaque TFT au-dessus de l'électrode de grille. Un métal de source/drain est déposé sur la couche active et dans les trous d'interconnexion en contact avec les plots, le métal de source/drain délimitant des bornes de source/drain de chaque TFT. Un matériau de passivation est déposé en relation de recouvrement sur les TFT. Une couche de filtre de couleur est formée sur le matériau de passivation, et un support en plastique souple est fixé sur le filtre de couleur. L'élément de support en verre et le matériau d'arrêt de gravure sont ensuite éliminés par gravure afin de faire apparaître une surface de chacun des plots.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)