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1. (WO2016140968) COMPOSITION DE POLISSAGE CONTENANT UN ABRASIF À BASE D'OXYDE DE CÉRIUM
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2016/140968    N° de la demande internationale :    PCT/US2016/020261
Date de publication : 09.09.2016 Date de dépôt international : 01.03.2016
CIB :
C09K 3/14 (2006.01), H01L 21/304 (2006.01), H01L 21/306 (2006.01)
Déposants : CABOT MICROELECTRONICS CORPORATION [US/US]; 870 North Commons Drive Aurora, Illinois 60504 (US)
Inventeurs : REISS, Brian; (US).
SAUTER VAN NESS, Dana; (US).
LAM, Viet; (US).
HAINS, Alexander; (US).
KRAFT, Steven; (US).
JIA, Renhe; (US)
Mandataire : OMHOLT, Thomas; (US)
Données relatives à la priorité :
14/639,564 05.03.2015 US
Titre (EN) POLISHING COMPOSITION CONTAINING CERIA ABRASIVE
(FR) COMPOSITION DE POLISSAGE CONTENANT UN ABRASIF À BASE D'OXYDE DE CÉRIUM
Abrégé : front page image
(EN)The invention provides a chemical-mechanical polishing composition including first abrasive particles, wherein the first abrasive particles are wet-process ceria particles, have a median particle size of about 40 nm to about 100 nm, are present in the polishing composition at a concentration of about 0.005 wt.% to about 2 wt.%, and have a particle size distribution of at least about 300 nm, a functionalized heterocycle, a pH-adjusting agent, and an aqueous carrier, and wherein the pH of the polishing composition is about 1 to about 6. The invention also provides a method of polishing a substrate, especially a substrate comprising a silicon oxide layer, with the polishing composition.
(FR)L'invention concerne une composition de polissage mécano-chimique contenant des premières particules abrasives, caractérisée en ce que les premières particules abrasives sont des particules d'oxyde de cérium obtenues par un procédé par voie humide, ont une taille de particule médiane d'environ 40 à environ 100 nm, sont présentes dans la composition de polissage à une concentration d'environ 0,005 à environ 2 % en poids, et ont une distribution des tailles de particules d'au moins environ 300 nm ; un hétérocycle fonctionnalisé, un agent d'ajustement du pH, et un milieu aqueux, et en ce que le pH de la composition de polissage est d'environ 1 à environ 6. Un procédé de polissage d’un substrat, notamment d'un substrat comprenant une couche d'oxyde de silicium, à l'aide de la composition de polissage selon l'invention est en outre décrit.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)