WIPO logo
Mobile | Deutsch | English | Español | 日本語 | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

Recherche dans les collections de brevets nationales et internationales
World Intellectual Property Organization
Options
Langue d'interrogation
Stemming/Racinisation
Trier par:
Nombre de réponses par page
Certains contenus de cette application ne sont pas disponibles pour le moment.
Si cette situation persiste, veuillez nous contacter àObservations et contact
1. (WO2016140948) COMPOSITIONS DE PHASE MAX 2-2-1 NANOSTRATIFIÉES
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication : WO/2016/140948 N° de la demande internationale : PCT/US2016/020216
Date de publication : 09.09.2016 Date de dépôt international : 01.03.2016
CIB :
B01D 53/14 (2006.01)
B TECHNIQUES INDUSTRIELLES; TRANSPORTS
01
PROCÉDÉS OU APPAREILS PHYSIQUES OU CHIMIQUES EN GÉNÉRAL
D
SÉPARATION
53
Séparation de gaz ou de vapeurs; Récupération de vapeurs de solvants volatils dans les gaz; Épuration chimique ou biologique des gaz résiduaires, p.ex. gaz d'échappement des moteurs à combustion, fumées, vapeurs, gaz de combustion ou aérosols
14
par absorption
Déposants : DREXEL UNIVERSITY[US/US]; 3141 Chestnut Street Philadelphia, PA 19104, US
Inventeurs : BARSOUM, Michel, W.; US
HU, Chunfeng; US
Mandataire : CALDWELL, John, W.; US
Données relatives à la priorité :
62/127,90704.03.2015US
Titre (EN) NANOLAMINATED 2-2-1 MAX-PHASE COMPOSITIONS
(FR) COMPOSITIONS DE PHASE MAX 2-2-1 NANOSTRATIFIÉES
Abrégé :
(EN) The present invention is directed to crystalline solids having an empirical formula of M2A2X, wherein M is at least one Group IIIB, IVB, VB, or VIB metal, preferably Cr, Hf, Sc, Ti, Mo, Nb, Ta, V, Zr, or a combination thereof; wherein A is Al, Ga, Ge, In, Pb, or Sn, or a combination thereof; and each X is CxNy, where x + y = 1. In some particular embodiments, the crystalline composition has a unit cell stoichiometry of Mo2Ga2C.
(FR) La présente invention a pour objet des solides cristallins possédant une formule empirique de type M2A2X, dans laquelle M est au moins un métal du groupe IIIB, IVB, VB ou VIB, de préférence Cr, Hf, Sc, Ti, Mo, Nb, Ta, V, Zr, ou leurs combinaisons ; dans laquelle A est Al, Ga, Ge, In, Pb ou Sn, ou leurs combinaisons ; et chaque X est CxNy, où x + y = 1. Dans certains modes de réalisation particuliers, la composition cristalline possède une stœchiométrie de maille élémentaire de type Mo2Ga2C.
front page image
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)