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1. (WO2016140865) ENSEMBLE DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEURS DOTÉ D'UNE CAVITÉ DE CONFINEMENT DE SOUS-REMPLISSAGE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication : WO/2016/140865 N° de la demande internationale : PCT/US2016/019601
Date de publication : 09.09.2016 Date de dépôt international : 25.02.2016
CIB :
H01L 23/28 (2006.01) ,H01L 21/56 (2006.01)
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
23
Détails de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
28
Capsulations, p.ex. couches de capsulation, revêtements
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21
Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02
Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
04
les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges
50
Assemblage de dispositifs à semi-conducteurs en utilisant des procédés ou des appareils non couverts par l'un uniquement des groupes H01L21/06-H01L21/326185
56
Capsulations, p.ex. couches de capsulation, revêtements
Déposants : MICRON TECHNOLOGY, INC.[US/US]; 8000 S. Federal Way, P.O. Box 6 Boise, ID 83707-0006, US
Inventeurs : CHANDOLU, Anilkumar; US
HUANG, Wayne, H.; US
VADHAVKAR, Sameer, S.; US
Mandataire : TOLOMEI, John, G.; US
Données relatives à la priorité :
14/635,88802.03.2015US
Titre (EN) SEMICONDUCTOR DEVICE ASSEMBLY WITH UNDERFILL CONTAINMENT CAVITY
(FR) ENSEMBLE DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEURS DOTÉ D'UNE CAVITÉ DE CONFINEMENT DE SOUS-REMPLISSAGE
Abrégé :
(EN) Semiconductor device assemblies with underfill containment cavities are disclosed herein. In one embodiment, a semiconductor device assembly can include a first semiconductor die having a base region formed from a substrate material, a recessed surface along the base region, a peripheral region formed from the substrate material and projecting from the base region, and a sidewall surface along the peripheral region and defining a cavity with the sidewall surface in the peripheral region. The semiconductor device assembly further includes a thermal transfer structure attached to the peripheral region of the first die adjacent the cavity, and an underfill material at least partially filling the cavity and including a fillet between the peripheral region and the stack of second semiconductor dies.
(FR) Ensembles dispositifs à semi-conducteurs dotés de cavités de confinement de sous-remplissage. Selon un mode de réalisation, un ensemble dispositif à semi-conducteurs peut comprendre une première puce semi-conductrice ayant une région de base formée à partir d'un matériau de substrat, une surface en retrait le long de la région de base, une région périphérique formée à partir du matériau de substrat et faisant saillie à partir de la région de base, et une surface de paroi latérale le long de la région périphérique et délimitant une cavité avec la surface de paroi latérale dans la région périphérique. L'ensemble dispositif à semi-conducteurs comprend en outre une structure de transfert thermique fixée à la région périphérique de la première puce adjacente à la cavité, et un matériau de sous-remplissage remplissant au moins partiellement la cavité et comprenant un congé de raccordement entre la région périphérique et la pile de secondes puces semi-conductrices.
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États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)