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1. (WO2016140776) CAPTEURS DE TEMPÉRATURE À BASE DE TRANSISTORS À JONCTION BIPOLAIRE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2016/140776    N° de la demande internationale :    PCT/US2016/017072
Date de publication : 09.09.2016 Date de dépôt international : 09.02.2016
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    03.01.2017    
CIB :
G01K 7/01 (2006.01)
Déposants : QUALCOMM INCORPORATED [US/US]; ATTN: International IP Administration 5775 Morehouse Drive San Diego, California 92121-1714 (US)
Inventeurs : XIA, William; (US).
YUEN, Kendrick Hoy Leong; (US)
Mandataire : CICCOZZI, John L.; (US)
Données relatives à la priorité :
14/639,053 04.03.2015 US
Titre (EN) BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR-BASED TEMPERATURE SENSORS
(FR) CAPTEURS DE TEMPÉRATURE À BASE DE TRANSISTORS À JONCTION BIPOLAIRE
Abrégé : front page image
(EN)Temperature sensors using bipolar junction transistors are provided. Examples of the disclosed sensors minimize effects of IR drop and have improved accuracy. An example temperature sensor includes a first branch coupled between a power supply and ground. The first branch includes a first transistor series-coupled with a second transistor via a first node and has a first temperature sensor output via the first node. The temperature sensor also includes a second branch coupled between the power supply and ground. The second branch includes a third transistor series-coupled with a fourth transistor via a second node and has a second temperature sensor output via the second node. The first through fourth transistors are diode-connected and can have an n-well structure or a deep n-well structure. The temperature sensor also includes a voltage sensor having an input coupled to the first temperature sensor output and the second temperature sensor output.
(FR)L'invention concerne des capteurs de température utilisant des transistors à jonction bipolaire. Des exemples des capteurs de l'invention réduisent au minimum les effets de chute ohmique et ont une meilleure précision. Un exemple de capteur de température comprend une première branche couplée entre une alimentation électrique et la terre. La première branche comprend un premier transistor couplé en série avec un deuxième transistor par l'intermédiaire d'un premier nœud et a une première sortie de capteur de température via le premier nœud. Le capteur de température comprend également une seconde branche couplée entre l'alimentation électrique et la terre. La seconde branche comprend un troisième transistor couplé en série avec un quatrième transistor par l'intermédiaire d'un second nœud et a une seconde sortie de capteur de température via le second nœud. Les premier à quatrième transistors sont connectés à une diode et peuvent avoir une structure de puits n ou une structure de puits n profond. Le capteur de température comprend également un capteur de tension ayant une entrée couplée à la première sortie de capteur de température et à la seconde sortie de capteur de température.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)