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1. (WO2016140767) CAPTEURS DE FISSURES DE TROUS D'INTERCONNEXION TRAVERSANT LE SILICIUM (TSV) DE DÉTECTION DE FISSURES DE TSV DANS DES CIRCUITS INTÉGRÉS (IC) TRIDIMENSIONNELS (3D) (3DIC), AINSI QUE PROCÉDÉS ET SYSTÈMES ASSOCIÉS

Pub. No.:    WO/2016/140767    International Application No.:    PCT/US2016/016698
Publication Date: Sat Sep 10 01:59:59 CEST 2016 International Filing Date: Sat Feb 06 00:59:59 CET 2016
IPC: G01R 31/28
H01L 21/66
H01L 23/498
G01R 31/3185
Applicants: QUALCOMM INCORPORATED
Inventors: LIM, Sung; Kyu
RADOJCIC, Ratibor
DU, Yang
Title: CAPTEURS DE FISSURES DE TROUS D'INTERCONNEXION TRAVERSANT LE SILICIUM (TSV) DE DÉTECTION DE FISSURES DE TSV DANS DES CIRCUITS INTÉGRÉS (IC) TRIDIMENSIONNELS (3D) (3DIC), AINSI QUE PROCÉDÉS ET SYSTÈMES ASSOCIÉS
Abstract:
La présente invention concerne des capteurs de fissures de trous d'interconnexion traversant le silicium (TSV) de détection de fissures de TSV dans des circuits intégrés (IC) tridimensionnels (3D) (3DIC), ainsi que des procédés et des systèmes associés. Un aspect de l'invention concerne un circuit capteur de fissures de TSV dans lequel des anneaux dopés d'une pluralité de TSV sont interconnectés en parallèle, de sorte que tous les anneaux dopés interconnectés de TSV puissent être testés en même temps par l'application d'un courant unique aux contacts des anneaux dopés interconnectés. Un autre aspect concerne un circuit capteur de fissures de TSV, comprenant un ou plusieurs TSV redondants. Chaque anneau dopé d'un TSV correspondant est testé de façon indépendante, et un TSV défectueux peut être remplacé par un TSV de réserve dont l'anneau dopé n'est pas détecté comme étant fissuré. Le présent circuit permet de corriger un 3DIC fragilisé par remplacement d'un TSV possiblement fragilisé par un TSV de réserve.