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1. (WO2016140745) CIRCUIT ECCLES-JORDAN DE RÉTENTION D'ÉTAT À PUITS N COMMUN
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2016/140745    N° de la demande internationale :    PCT/US2016/015330
Date de publication : 09.09.2016 Date de dépôt international : 28.01.2016
CIB :
H03K 3/037 (2006.01), H03K 3/356 (2006.01)
Déposants : INTEL CORPORATION [US/US]; 2200 Mission College Boulevard Santa Clara, California 95054 (US)
Inventeurs : AGARWAL, Amit; (US).
HSU, Steven K.; (US).
KRISHNAMURTHY, Ram K.; (US)
Mandataire : DANSKIN, Timothy A.; (US)
Données relatives à la priorité :
14/635,849 02.03.2015 US
Titre (EN) COMMON N-WELL STATE RETENTION FLIP-FLOP
(FR) CIRCUIT ECCLES-JORDAN DE RÉTENTION D'ÉTAT À PUITS N COMMUN
Abrégé : front page image
(EN)Embodiments include apparatuses, methods, and systems for state retention electronic devices. In embodiments, an electronic device may include a state retention flip-flop having a plurality of P-type metal oxide semiconductor (PMOS) devices coupled with a common N-well, with one or more of the plurality of PMOS devices powered by an always-on supply and one or more of the plurality of PMOS devices powered by a power-gated supply. Other embodiments may be described and claimed.
(FR)Des modes de réalisation concernent des appareils, des procédés et des systèmes pour des dispositifs électroniques de rétention d'état. Selon des modes de réalisation, un dispositif électronique peut comprendre un circuit Eccles-Jordan de rétention d'état ayant une pluralité de dispositifs à semi-conducteur à oxyde métallique de type P (PMOS) couplés à un même puits N, un ou plusieurs dispositifs de la pluralité de dispositifs PMOS étant alimentés par une alimentation permanente et un ou plusieurs dispositifs de la pluralité de dispositifs PMOS étant alimentés par une alimentation sélectionnée à travers une porte. La présente invention concerne également d'autres modes de réalisation.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)