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1. (WO2016140715) MÉMOIRE VIVE RÉSISTIVE TRIDIMENSIONNELLE À LIGNES DE BITS PARALLÈLES

Pub. No.:    WO/2016/140715    International Application No.:    PCT/US2015/062780
Publication Date: Sat Sep 10 01:59:59 CEST 2016 International Filing Date: Thu Nov 26 00:59:59 CET 2015
IPC: H01L 27/24
Applicants: SANDISK TECHNOLOGIES LLC
Inventors: TAKAKI, Seje
Title: MÉMOIRE VIVE RÉSISTIVE TRIDIMENSIONNELLE À LIGNES DE BITS PARALLÈLES
Abstract:
L'invention concerne un réseau de mémoire vive résistive (ReRAM) tridimensionnelle comprenant de multiples structures d'empilement de lignes espacées latéralement les unes des autres le long d'une première direction horizontale et s'étendant le long d'une deuxième direction horizontale différente. Chaque structure d'empilement de lignes comprend une pluralité alternée de lignes de mots (30) et de lignes de bits (38). Une pile de lignes intercalaire comprenant une structure de lignes de matériau de mémoire (32), une structure de lignes de matériau semiconducteur intrinsèque (34) et une structure de lignes de matériau semiconducteur dopé (36) est située entre chaque paire voisine verticale d'une ligne de mots et d'une ligne de bits. Un réseau bidimensionnel de lignes de sélection verticales (54), séparées des empilements de lignes par un diélectrique de gâchette (52), fait office d'électrodes de gâchette, chaque électrode de gâchette activant un canal semiconducteur entre une ligne de mots et une ligne de bits.