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1. (WO2016140113) CIBLE DE PULVÉRISATION À BASE DE MATÉRIAU MAGNÉTIQUE ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2016/140113    N° de la demande internationale :    PCT/JP2016/055325
Date de publication : 09.09.2016 Date de dépôt international : 24.02.2016
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    01.06.2016    
CIB :
C23C 14/34 (2006.01), C22C 19/07 (2006.01), C22C 38/00 (2006.01), H01F 1/14 (2006.01), H01F 41/18 (2006.01), H01L 21/8246 (2006.01), H01L 27/105 (2006.01), H01L 43/08 (2006.01), H01L 43/10 (2006.01), H01L 43/12 (2006.01)
Déposants : JX NIPPON MINING & METALS CORPORATION [JP/JP]; 1-2, Otemachi 1-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1008164 (JP)
Inventeurs : ARAKAWA Atsutoshi; (JP)
Mandataire : OGOSHI Isamu; (JP)
Données relatives à la priorité :
2015-042420 04.03.2015 JP
Titre (EN) MAGNETIC-MATERIAL SPUTTERING TARGET AND METHOD FOR PRODUCING SAME
(FR) CIBLE DE PULVÉRISATION À BASE DE MATÉRIAU MAGNÉTIQUE ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
(JA) 磁性材スパッタリングターゲット及びその製造方法
Abrégé : front page image
(EN)A magnetic-material sputtering target according to the present invention is characterized by: being formed of a sintered body containing, at least, B, Co and/or Fe, the content of B being 10 to 50 at%; and having an oxygen content of 100 wtppm or less. Because the magnetic-material sputtering target according to the present invention can suppress the generation of particles due to oxides, it has the significant effect of enabling an improvement in yield when manufacturing magnetoresistive films and the like.
(FR)Cette invention concerne une cible de pulvérisation à base de matériau magnétique, caractérisée en ce qu'elle est formée à partir d'un corps fritté contenant au moins, B, Co et/ou Fe, la teneur en B allant de 10 à 50 %, et en ce qu'elle présente une teneur en oxygène inférieure ou égale à 100 ppm en poids. Du fait que la cible de pulvérisation à base de matériau magnétique selon l'invention peut supprimer la génération de particules due à des oxydes, elle l'avantage significatif de permettre une amélioration du rendement lors de la fabrication de films magnétorésistifs et analogues.
(JA)Co及び/又はFe並びにBを少なくとも含み、Bを10~50at%含有する焼結体からなり、酸素含有量が100wtppm以下であることを特徴とする磁性材スパッタリングターゲット。本発明の磁性材スパッタリングターゲットは、酸化物に起因するパーティクルの発生が抑制することができるので、磁気抵抗膜等の作製時における歩留まりを向上することができるという著しい効果を有する。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)