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1. (WO2016139840) FEUILLE DE DÉCOUPAGE EN DÉS ET PROCÉDÉ DE FABRICATION DE PUCE DE SEMI-CONDUCTEUR
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2016/139840    N° de la demande internationale :    PCT/JP2015/079513
Date de publication : 09.09.2016 Date de dépôt international : 20.10.2015
CIB :
H01L 21/301 (2006.01), C09J 7/02 (2006.01), C09J 133/00 (2006.01), C09J 175/04 (2006.01), C09J 201/00 (2006.01), C09J 201/02 (2006.01)
Déposants : LINTEC CORPORATION [JP/JP]; 23-23, Honcho, Itabashi-ku, Tokyo 1730001 (JP)
Inventeurs : SAKAMOTO, Misaki; (JP).
NISHIDA, Takuo; (JP)
Mandataire : HAYAKAWA, Yuzi; (JP)
Données relatives à la priorité :
2015-039892 02.03.2015 JP
Titre (EN) DICING SHEET AND METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR CHIP
(FR) FEUILLE DE DÉCOUPAGE EN DÉS ET PROCÉDÉ DE FABRICATION DE PUCE DE SEMI-CONDUCTEUR
(JA) ダイシングシートおよび半導体チップの製造方法
Abrégé : front page image
(EN)A dicing sheet 10 which is provided with a base 3, an intermediate layer 2 that is provided on one surface of the base 3, and an adhesive layer 1 that is provided on the intermediate layer 2, and wherein: the adhesive layer 1 contains a compound that has an energy ray-curable double bond in each molecule; the storage elastic modulus G' of the adhesive layer 1 before curing is larger than the storage elastic modulus G' of the intermediate layer 2 at 23°C; with respect to the dicing sheet 10 before curing the adhesive layer 1, the peel strength thereof from a silicon mirror wafer is 2,000 mN/25 mm or more as measured by performing a peel strength test at a peeling angle of 180° in accordance with JIS Z0237 (2000); and the loss factor tanδ at 23°C of the adhesive layer 1 before curing is 0.23 or more. This dicing sheet 10 is not susceptible to partial separation even if a laminate, which is obtained by bonding this dicing sheet 10 to a semiconductor wafer 30, is left at rest for a predetermined period of time.
(FR)L'invention concerne une feuille de découpage en dés 10 qui est pourvue d'une base 3, d'une couche intermédiaire 2, qui est disposée sur une surface de la base 3, et d'une couche adhésive 1, qui est disposée sur la couche intermédiaire 2. La couche adhésive 1 contient un composé qui possède une double liaison polymérisable par rayonnement énergétique dans chaque molécule ; le module élastique de stockage G' de la couche adhésive 1 avant le durcissement est plus grand que le module élastique de stockage G' de la couche intermédiaire 2 à 23 °C ; en ce qui concerne la feuille de découpage en dés 10 avant le durcissement de la couche adhésive 1, sa résistance au décollage d'une tranche miroir en silicium est supérieure ou égale à 2000 mN/25 mm, mesurée par exécution d'un essai de résistance au décollage à un angle de décollage de 180° selon la norme JIS Z0237 (2000) ; le facteur de perte tanδ à 23 °C de la couche adhésive 1 avant le durcissement est supérieur ou égal à 0,23. Cette feuille de découpage en dés 10 n'est pas susceptible de subir une séparation partielle même si un stratifié, qui est obtenu par collage de cette feuille de découpage en dés 10 sur une tranche de semi-conducteur 30, est laissé au repos pendant un laps de temps prédéterminé.
(JA) 基材3と、その片面に設けられた中間層2と、中間層2の上に設けられた粘着剤層1とを備えるダイシングシート10であって、粘着剤層1は、エネルギー線硬化性二重結合を分子内に有する化合物を含有し、粘着剤層1の硬化前の23℃における貯蔵弾性率G'は、中間層2の23℃における貯蔵弾性率G'よりも大きく、粘着剤層1を硬化する前のダイシングシート10について、JIS Z0237:2000に準拠して、シリコンミラーウエハに対する180°引きはがし粘着力試験を行ったときに測定される粘着力が、2000mN/25mm以上であり、粘着剤層1の硬化前の23℃における損失係数tanδは、0.23以上であるダイシングシート10。かかるダイシングシート10によれば、ダイシングシート10を半導体ウエハ30に貼付して得られる積層体を所定の期間静置しても、部分剥離が生じにくい。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)