Recherche dans les collections de brevets nationales et internationales

1. (WO2016139828) DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR

Pub. No.:    WO/2016/139828    International Application No.:    PCT/JP2015/072715
Publication Date: Sat Sep 10 01:59:59 CEST 2016 International Filing Date: Tue Aug 11 01:59:59 CEST 2015
IPC: H01L 21/336
H01L 21/28
H01L 21/283
H01L 29/786
Applicants: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA
株式会社 東芝
Inventors: NAKANO, Shintaro
中野 慎太郎
MIURA, Kentaro
三浦 健太郎
MAEDA, Yuya
前田 雄也
Title: DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR
Abstract:
Selon un mode de réalisation, l'invention porte sur un dispositif à semi-conducteur qui comprend un substrat, une couche semi-conductrice, une électrode de source, une électrode de drain, une première partie isolante et une seconde partie isolante. La couche semi-conductrice comprend un oxyde et est séparée du substrat dans une première direction. L'électrode de source est électriquement connectée à la couche semi-conductrice. L'électrode de drain est électriquement connectée à la couche semi-conductrice et est alignée avec l'électrode de source dans une seconde direction qui croise la première direction. La première partie isolante est disposée entre le substrat et la couche semi-conductrice. La couche semi-conductrice est disposée entre la première partie isolante et la seconde partie isolante. La première partie isolante comprend une première couche de nitrure de silicium et une première couche d'oxyde d'aluminium qui est stratifiée sur la première couche de nitrure de silicium. La seconde partie isolante comprend une seconde couche d'oxyde d'aluminium et une seconde couche de nitrure de silicium qui est stratifiée sur la seconde couche d'oxyde d'aluminium.