JP2015056097 DISPOSITIF DE MÉMOIRE À SEMI-CONDUCTEUR ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION

1. (WO2016139725) DISPOSITIF DE MÉMOIRE À SEMI-CONDUCTEUR ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION

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N° de publication :		WO/2016/139725		N° de la demande internationale :		PCT/JP2015/056097
Date de publication :		09.09.2016		Date de dépôt international :		02.03.2015

CIB :

H01L 21/8247 (2006.01), H01L 27/115 (2006.01)

Déposants :

TOSHIBA MEMORY CORPORATION [JP/JP]; 1-1, Shibaura 1-chome, Minato-ku, Tokyo 1058001 (JP)

Inventeurs :

KATO, Tatsuya; (JP).
ARAI, Fumitaka; (JP).
SEKINE, Katsuyuki; (JP).
IWAMOTO, Toshiyuki; (JP).
WATANABE, Yuta; (JP).
SAKAMOTO, Wataru; (JP).
ITOKAWA, Hiroshi; (JP)

Mandataire :

HYUGAJI, Masahiko; (JP)

Données relatives à la priorité :

Titre

(EN) SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND METHOD FOR PRODUCING SAME
(FR) DISPOSITIF DE MÉMOIRE À SEMI-CONDUCTEUR ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
(JA) 半導体記憶装置及びその製造方法

Abrégé :

(EN)A semiconductor memory device according to an embodiment of the present invention is provided with: a semiconductor pillar that extends in a first direction; a first electrode that extends in a second direction that crosses the first direction; a second electrode provided between the semiconductor pillar and the first electrode; a first insulating film provided between the first electrode and the second electrode, and on both first-direction sides of the first electrode; a second insulating film provided between the second electrode and the first insulating film, and on both first-direction sides of the second electrode; a third insulating film provided between the second electrode and the semiconductor pillar; and a conductive film provided in a region sandwiched between the first insulating film and the second insulating film.
(FR)Selon un mode de réalisation, la présente invention concerne un dispositif de mémoire à semi-conducteur qui est pourvu : d'un pilier semi-conducteur qui s'étend dans une première direction; d'une première électrode, qui s'étend dans une deuxième direction, qui croise la première direction; d'une seconde électrode, disposée entre le pilier semi-conducteur et la première électrode; d'un premier film isolant, disposé entre la première électrode et la seconde électrode, et des deux côtés, dans la première direction, de la première électrode; d'un deuxième film isolant, disposé entre la seconde électrode et le premier film isolant, et des deux côtés, dans la première direction, de la seconde électrode; d'un troisième film isolant disposé entre la seconde électrode et le pilier semi-conducteur; d'un film conducteur, disposé dans une région prise en sandwich entre le premier film isolant et le deuxième film isolant.
(JA)実施形態に係る半導体記憶装置は、第１方向に延びる半導体ピラーと、前記第１方向に対して交差した第２方向に延びる第１電極と、前記半導体ピラーと前記第１電極との間に設けられた第２電極と、前記第１電極と前記第２電極との間、及び、前記第１電極の前記第１方向両側に設けられた第１絶縁膜と、前記第２電極と前記第１絶縁膜との間、及び、前記第２電極の前記第１方向両側に設けられた第２絶縁膜と、前記第２電極と前記半導体ピラーとの間に設けられた第３絶縁膜と、前記第１絶縁膜と前記第２絶縁膜との間に挟まれた領域内に設けられた導電膜と、を備える。

États désignés :

AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).

Langue de publication :	japonais (JA)
Langue de dépôt :	japonais (JA)

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