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1. (WO2016139725) DISPOSITIF DE MÉMOIRE À SEMI-CONDUCTEUR ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2016/139725    N° de la demande internationale :    PCT/JP2015/056097
Date de publication : 09.09.2016 Date de dépôt international : 02.03.2015
CIB :
H01L 21/8247 (2006.01), H01L 27/115 (2006.01)
Déposants : TOSHIBA MEMORY CORPORATION [JP/JP]; 1-1, Shibaura 1-chome, Minato-ku, Tokyo 1058001 (JP)
Inventeurs : KATO, Tatsuya; (JP).
ARAI, Fumitaka; (JP).
SEKINE, Katsuyuki; (JP).
IWAMOTO, Toshiyuki; (JP).
WATANABE, Yuta; (JP).
SAKAMOTO, Wataru; (JP).
ITOKAWA, Hiroshi; (JP)
Mandataire : HYUGAJI, Masahiko; (JP)
Données relatives à la priorité :
Titre (EN) SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND METHOD FOR PRODUCING SAME
(FR) DISPOSITIF DE MÉMOIRE À SEMI-CONDUCTEUR ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
(JA) 半導体記憶装置及びその製造方法
Abrégé : front page image
(EN)A semiconductor memory device according to an embodiment of the present invention is provided with: a semiconductor pillar that extends in a first direction; a first electrode that extends in a second direction that crosses the first direction; a second electrode provided between the semiconductor pillar and the first electrode; a first insulating film provided between the first electrode and the second electrode, and on both first-direction sides of the first electrode; a second insulating film provided between the second electrode and the first insulating film, and on both first-direction sides of the second electrode; a third insulating film provided between the second electrode and the semiconductor pillar; and a conductive film provided in a region sandwiched between the first insulating film and the second insulating film.
(FR)Selon un mode de réalisation, la présente invention concerne un dispositif de mémoire à semi-conducteur qui est pourvu : d'un pilier semi-conducteur qui s'étend dans une première direction; d'une première électrode, qui s'étend dans une deuxième direction, qui croise la première direction; d'une seconde électrode, disposée entre le pilier semi-conducteur et la première électrode; d'un premier film isolant, disposé entre la première électrode et la seconde électrode, et des deux côtés, dans la première direction, de la première électrode; d'un deuxième film isolant, disposé entre la seconde électrode et le premier film isolant, et des deux côtés, dans la première direction, de la seconde électrode; d'un troisième film isolant disposé entre la seconde électrode et le pilier semi-conducteur; d'un film conducteur, disposé dans une région prise en sandwich entre le premier film isolant et le deuxième film isolant.
(JA)実施形態に係る半導体記憶装置は、第1方向に延びる半導体ピラーと、前記第1方向に対して交差した第2方向に延びる第1電極と、前記半導体ピラーと前記第1電極との間に設けられた第2電極と、前記第1電極と前記第2電極との間、及び、前記第1電極の前記第1方向両側に設けられた第1絶縁膜と、前記第2電極と前記第1絶縁膜との間、及び、前記第2電極の前記第1方向両側に設けられた第2絶縁膜と、前記第2電極と前記半導体ピラーとの間に設けられた第3絶縁膜と、前記第1絶縁膜と前記第2絶縁膜との間に挟まれた領域内に設けられた導電膜と、を備える。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)